问一个带隙基准源的问题
时间：10-02
整理：3721RD
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本人最近刚刚接触模拟电路，有一个比较菜的问题咨询大家
带隙基准源的输出Vref=α*Vbe+β*Vt*ln(n)，令α=1，β*ln(n)=17.2，此时温度系数=0，Vref=1.25V
如果忽略温度系数的影响，令β*ln(n)为一定值，则Vref可自定义产生1.8V，2.5V等标准电压。
请问大家，是否可利用这个基准电压作为电源来驱动芯片内部电路工作呢?
本人最近在研究LDO，忽然想到了利用这个“愚蠢”的办法来产生电源，翻翻网上资料貌似没人这么干的，可是自己也搞不懂到底哪里不可行?请求大家指点一二
带隙基准源的输出Vref=α*Vbe+β*Vt*ln(n)，令α=1，β*ln(n)=17.2，此时温度系数=0，Vref=1.25V
如果忽略温度系数的影响，令β*ln(n)为一定值，则Vref可自定义产生1.8V，2.5V等标准电压。
请问大家，是否可利用这个基准电压作为电源来驱动芯片内部电路工作呢?
本人最近在研究LDO，忽然想到了利用这个“愚蠢”的办法来产生电源，翻翻网上资料貌似没人这么干的，可是自己也搞不懂到底哪里不可行?请求大家指点一二
bandgap output current is limited！
BTW，
Vref=Vbe+β△Vbewhen T=0K，△Vbe=0V and Vbe≈1.25V，so Vref will always ≈1.25V
that's why it called bandgap
带隙基准有1.25V、2.5V（两个三极管串联的那种，减小运放失调的影响），是由硅的带隙电压决定的，如果做成了1.8V肯定跟温度变化较大的。带隙基准只是产生与温度无关的电压基准，不能提供大电流，也就是说它没有足够的驱动力来驱动芯片工作。如果真的需要一个与温度无关的电压源驱动芯片工作，可以利用该带隙基准电压产生一个驱动力大的驱动电路。
多谢几位兄弟的分析呀总结下来有两个原因：1是考虑温漂，2是考虑驱动电流。
如果不考虑温度，确实可以这样做。
旁观一下，学习一下
表达式都正确：
1.1.25的是经典的结构, 么有任何问题
2.如果表达式是 1.25X, 也是对的(0<x<power-Vdsat) 都没有问题
只是第二种结构电路结构不同而已
发表一下个人的见解：
1.基于Vbe+K*VT*lnN的一阶温度无关基准源传统带隙基准的1.2V输出有点令大家中毒太深。
2.基于电流模的基准其输出电压具有较好的调节性，reference：Banda的经典JSSC paper。
不考虑温度，还叫什么带隙基准，完全没意义了！
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