mos model如果范围太小
时间：10-02
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mos model如果范围太小
1. model wmin =10u 使用 5u
a.w/l=5u/3um=1
b.10/3 m=0.5
SIMULATION来说 那个比较接近实际DEVICE
2. model wmax=20u使用 w=100u
a.20/3 m=5
b. 或是 修改 model wmaxuse 100/3
SIMULATION来说 那个比较接近实际DEVICE
3. 低压MOS但自己画HVOX 高压
那直接改 tox 可以吗?
因为低压SIZE 小如果 只有 INPUT GATE 会碰高压不外拿电阻分压但是 耗电
, 如直接使用 40V PROCESS 高压MOS GATE就只有oxide 换HVOX,但是 drain还是低压,
但是 会违反RULE 或是 高压MOS但自己改低压 OXIDE
那直接改 tox 可以吗?
4.40v deviceLmin=3u
但SINK 能力不够如果 , 直接偷使用 2um .
因为只有到12v 不会到 40v
1. model wmin =10u 使用 5u
a.w/l=5u/3um=1
b.10/3 m=0.5
SIMULATION来说 那个比较接近实际DEVICE
2. model wmax=20u使用 w=100u
a.20/3 m=5
b. 或是 修改 model wmaxuse 100/3
SIMULATION来说 那个比较接近实际DEVICE
3. 低压MOS但自己画HVOX 高压
那直接改 tox 可以吗?
因为低压SIZE 小如果 只有 INPUT GATE 会碰高压不外拿电阻分压但是 耗电
, 如直接使用 40V PROCESS 高压MOS GATE就只有oxide 换HVOX,但是 drain还是低压,
但是 会违反RULE 或是 高压MOS但自己改低压 OXIDE
那直接改 tox 可以吗?
4.40v deviceLmin=3u
但SINK 能力不够如果 , 直接偷使用 2um .
因为只有到12v 不会到 40v
1. 當然10/3比較接近。但是沒辦法使用m=0.5。所以你只好串接10/3兩個。
2. 當然20/3比較接近。
3. 假設foundry不會退回你的tape-out，假設IC製程不會fail。你這麼用，也沒有SPICE model呀。
4. 可以偷rule，但是還是得foundry說了算。說不定L=2um只有到10V。
thank you