模拟版图中怎样做到有效的解决闩锁效应？

gardring
隔离槽

拉扎维书上不是有讲吗，通过粗的P+环接地和N+环接VDD来减少衬底和nwell电阻，N管和P管之间拉开一定距离来增大NPN的基区宽度来减少beta，令总的环路增益小于1

guarding ring
p区和n区分开

有没有具体一点的