关于SRAM cell 仿真

求助大神关于SRAM仿真的问题工艺厂商一般都提供设计好的cell，请问如何仿真该cell，比如对改cell的6T单元加入脉冲等，然后显示相关波形，
我尝试采用直接画出6个mos管，然后做相关仿真，但是工艺厂商提供的cell中的mos管要比PDK库中的mos管小，
PDK库中提供的管子最小尺寸为120n/60n，但是实际工艺厂商提供的SRAM cell单元尺寸可能达到90n/60n，请问
如何才能仿真

这个很难仿真，如果是foundry提供的，用就行了。

sram 可以用virtuoso仿真的

我也是这样的情形，只能用PDK给的最小尺寸来仿真了

学学，看看

SRAM的存储单元都自己特定的spice model，和外围电路所用的正常model 不一样，你能从PDK中找到特殊的model就能仿真，像这种小规模电路，用hspice就能仿真；脉冲信号用pwl就能描述。