关于SRAM cell 仿真
时间:10-02
整理:3721RD
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求助大神关于SRAM仿真的问题工艺厂商一般都提供设计好的cell,请问如何仿真该cell,比如对改cell的6T单元加入脉冲等,然后显示相关波形,
我尝试采用直接画出6个mos管,然后做相关仿真,但是工艺厂商提供的cell中的mos管要比PDK库中的mos管小,
PDK库中提供的管子最小尺寸为120n/60n,但是实际工艺厂商提供的SRAM cell单元尺寸可能达到90n/60n,请问
如何才能仿真
我尝试采用直接画出6个mos管,然后做相关仿真,但是工艺厂商提供的cell中的mos管要比PDK库中的mos管小,
PDK库中提供的管子最小尺寸为120n/60n,但是实际工艺厂商提供的SRAM cell单元尺寸可能达到90n/60n,请问
如何才能仿真
这个很难仿真,如果是foundry提供的,用就行了。
sram 可以用virtuoso仿真的
我也是这样的情形,只能用PDK给的最小尺寸来仿真了
学学,看看
SRAM的存储单元都自己特定的spice model,和外围电路所用的正常model 不一样,你能从PDK中找到特殊的model就能仿真,像这种小规模电路,用hspice就能仿真;脉冲信号用pwl就能描述。
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