BCD工艺中多晶电阻耐压问题?
时间:10-02
整理:3721RD
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各位好,现行BCD工艺中多晶电阻耐压最高可做到多少?
干嘛要问最高啊?
用过ASMS的BCD工艺,最高可50V以上
很高,100V也没问题
FOUNDRY有提供这个参数吗?比如阱电阻,可以根据结耐压确定.最近翻了个片子,多晶电阻做在600V耗尽管的漂移区,一端接此耗尽管DRAIN端,另一端接地,而这个600V耗尽管的DRAIN端接市电半波整流电路的输出,也就是说这个电阻耐压达到300V了?
请问怎么确定的呢?