百思不解的基准源
这是一个基准电压的产生电路。其中R150有很多trim选项，2图是放大器内部结构。放大器是一个输入级左右不对称的做法。起初看到这个电路的时候觉得原理是运用了放大器的非对称性产生的offset电压在经过电阻分压得到一个理想的基准电压。但是这个基准的spec给出的是电压1.024v而且实测下来电压特性和温度特性都非常好。如果是用认为放大器非对称性offset 做的话那么offset电压和电源电压和温度都有非常敏感的变化，所以根本达不到这个指标。在一个原设计电阻R150的值非常小相当于放大器的正极只有零点几伏的电压，如果是正常工艺的话无法保证正极输入管工作在饱和区。
所以像请教，有没有人用过或是研究过类似的基准电源。查阅了很多资料都没有涉及到这种架构的东西。
两个输入P管应该在亚阈值区
左边：Vsg1=ξ*VT*ln(Id/64Io)
右边：Vsg2=ξ*VT*ln(7Id/15Io)
ΔVsg=ξ*VT*ln29.9
Vref=K1*ΔVsg+K2*Vsg
你见过实际产品中这样的基准么?
还没有见过，
正端输入不是只有100多mv吗，怎么在亚阈值?
Vref=K1*ΔVsg+K2*Vsg 中的第二项K2*Vsg是哪来的?
坐等大神出现。
eetop good
你把deltaVgs表达式写出来会发现它们只和OP的偏置电流和size相关，所以受PVT的影响很小。而输出电压和电阻比例相关，Vref可以做的很准。
R150上的电压=P42的源极电压-Vsg,
电流小一点儿，宽长比大一点儿，总是能做到的
请问你在实际产品中将这样的基准么?
P42的源极电压是一定的吗?好像难以保证。所以，看起来觉得R150上的电压好像应该是Delta Vsg乘以电阻之比。
能上传 小一点的 jog格式的图吧打开也要好久的
小编可以把VREF，VPLUS还有输入管源端的电压图片上传一下吗?
首先这个amp是一个double输入和单端输出的2级运放，前提是保证amp可以达到70dB左右的增益，目的是为了是BGR的PSRR可以做高，另外amp是一个pmos的输入，则输入电压可以从0V开始，管子都是可以导通并且可以保证其偏置在饱和区，所以这个运放其实可以用其他的结构代替，例如：套筒式cascode之类的，只要保证增益达到就可。同时，这个运放整体来看，做的好像是一个负反馈，保证Vref不受电源电压或者温度的变化而变化。
以上是我的一点点看法！
确实如此，从电路上看仅仅存在delta Vbe的这一项，这么看common点似乎是与温度无关的。
可是负端是1点几伏，vgs差了900mv，怎么都不能同时亚阈值吧
楼上正解！温度系数取决于偏置电流和迁移率的温度系数~
小编，这个电路的温度特性很好，你测到的是多少啊?
这个电路输入对管工作状态确实费解
spec中只给了vref的数值，是1.024v，因为这块在电路里是做总的基准源用的，分别由放大器放大2，或4倍后提供给LDO，AD,等等需要基准电压的模块的。所以对于这块电路spec没有特别说明。
用标准模型对这个电路仿真得到的电压数值也没太大的意义，根本得不到spce给出的基准值，不过你说的工作在亚阈值区到时理论上可以解释的通，因为亚阈值区的mos管特性类似于双极管，但是昨天仿真试了一下，在亚阈值区输入对管vgs 之差非常小，只有大概0.3v左右。从输出1.024v和电阻分压来看这也是说不通的。
你说的“实测下来电压特性和温度特性都非常好”是什么意思，实测是指测试结果吗?“温度特性好”是什么意思，是指电压温度曲线是典型的bandgap输出的波浪线吗，还是输出电压随温度增加而线性增加。
听小编的意思是仿真结果跟测试结果对不上，是这样吗?小编如果有什么波形不管是测试的还是仿真的，不妨贴上了，让大家看一下
有意思，而且恐怖，还是搞不明白Vgs是怎么产生的
简单看来，真不觉得两个输入管VSG相差大几百毫伏还可能同时处在亚阈值状态。所以，猜测是利用了类似mos管ZTC特性，两个输入管是工作在不同的状态，使得Delta Vsg基本不随温度变。
我认为2楼的解释是正确的，它是一个无bipolar的电压基准源。基本原理也是Vbe同deltaVbe的相加
小编的电路图有错，输出底下要加上一个二极管，可以用NMOS做。
根据我的仿真，可以做出不随温度变化的基准电压，不过在-20C到100C之间的deltaV也不小，也有4mV。
1）两个PMOS都工作在饱和区
2）计算delta Vgs确实可以发现与阈值电压无关了
3）Vminus-Vplus=delta Vgs
Vplus=电阻分压*Vminus
可以推出Vminus与且只与deltaVgs成正比
4）输出电压Vref=电阻分压*Vout=电阻分压*Vminus，也只与delta Vgs有关。
图都是错误的，你却在上面诠释开了