请教一个PMOS超压的问题

我们目前用到的TSMC55的工艺，只有Vgd<5V/Vgs<2.5V的不对称HVMOS，以及3.3V的IOMOS
但是需要支持到4.3V的电池电压和很低的待机功耗
很多工作在电池电压下的BLOCK需要off
用来做disable动作的3.3V IO PMOS的gate接什么电压就比较麻烦
如果产生4.3 - 3.3V去控制IO PMOS的gate，会浪费一部分不必要的电流
因此想直接把3.3V PMOS的gate拉到0
这样就会存在 PMOS |Vgs| > 3.6V，最高等于4.3V的情况
想请教大家，这样PMOS直接超压，但是总共的面积很小，，，行得通吗?
谢谢~

寿命只有几年了

1.>这样PMOS直接超压是不行的.會Oxide breakdown,只能選擇不对称HVMOS了,佔面積就佔面積
2.>使用3.3V PMOS 然後面积很小是行不通的. -->Oxide Reilability Issue
3.>其實知道需要4.3V的电池电压,就應該選擇有5V IOMOS的工艺.

之所以有这个问题，是因为TSMC提供的工艺只有两个选择：要么对称的5V HVMOS，或者5V不对称HVMOS
二者不可得兼。
而且是和数字部分的某些选项有关系的
例如，用什么ram，有没有embedded flash等等
数字那边的选项决定了只能有不对称的HVMOS
非常头疼，才想看直接超压行不行。

看來您只能用5V不对称HVMOS了.
Device有Breakdown的風險是不好的.