请教GGPMOS的ESD问题

如图所示，是相等面积的DIODE和GGPMOS，以0.5um标准CMOS工艺为例
在ESD的PD模式下，VCC接地，PAD打正向ESD脉冲，这时候DIODE正向导通，GGPMOS的漏极-衬底diode也正向导通
A: 单就ESD器件的可靠性而言，DIODE能达到的ESD电压高，还是GGPMOS?
B：将被保护的器件一起考虑（例如反相器输入），DIODE还是GGPMOS能达到的ESD电压高?
请高手指点，谢谢！

好嘛，这么长时间了，木有回复