cmos图像传感器中采用pinned二极管如何减小暗电流

没人做过图像传感器吗?

这个确实是个很专业的问题，而且应该是工艺工程师的问题，大多数都只是做电路设计，对工艺的了解就很浅了

减小周长，削弱光电管侧边的漏电流。这是版图设计可实现的。
表面暗电流，和杂质缺陷有关，工艺影响较大。
PN结结区的反向漏电流，这个看看器件知识应该能找到答案。

从电势与耗尽层的角度考虑。

我是做应用的 ，CMOS的成像品质 与工艺很大的关系，听说 CANNON高端是采用 GAAS 工艺。
这是听说。

突然 有感：
看来如果认真的做某件事 真的需要潜心研究里面的来龙去脉的。
我现在很遗憾的

一般来说pn结表面如果没有pin层, 硅和氧化硅的接触面有较多的interface states. 这些缺陷会在硅能带中制造一个中间态,使电子更容易激发生成暗电流.

学了很多,谢谢！

啊啊啊、、、、怎么没有这方面的文章喃?

国外有文章介绍这个，写的不错，但不小心删掉了，可在GOOGLE上搜索下

光电二极管的暗电流和加工工艺控制有着密切的因素，设计一般只能在有测量数据后进行误差校准考虑。

中间有I很重要，吃势垒。界面也好

Nwell和Pin层间的界面比较好，所以暗电流降低。
可以参考el gamal写的综述文献“CMOS Image Sensor”
你是哪里的?国内做CIS不是很多

做图像传感器的来报到，有时间多交流下，国内做的确实不多

你还在做CIS吗?交流一下?

一直在做，呵呵

求带CIS