这个用在cascode电流镜中的管子是native管吗？谢谢！
native的掺杂不一样，应该颜色不同吧，应该不是，而且电流镜用native没什么好处很亏
你说的“上面”“下面”是cascode pmos中的上面和下面么?
芯片拍到poly层已经可以看清楚nwell和区分出NMOS和PMOS，所以没拍衬底。
5V的双阱标准CMOS工艺，里面的self-cascode的PMOS和NMOS电流镜全部都是这种类似的管子。
我是这样考虑的
普通的self-cascode输出管要占一个VGS，靠近电源的那个管子处于饱和的临界状态，所以self-cascode的输出电阻和匹配精度不如cascode。
如果这个是native管，假设阈值电压为0，那么靠近电源的那个普通管的VDS增加了一个VTH（0.7V）， 处在强饱和状态，匹配精度和输出电阻接近cascode
是指第一张图片版图里面的管子
好多做反向的啊，锅内做正向设计的多不多? 请知道的网友给个大概数据。
native带来唯一的好处就是电压裕度吧，让你觉得vov大一些匹配好点，其实由于是他vth的偏差带来的匹配误差要严重的多，还有噪声大，为了让掺杂的地方不影响其他管子还要浪费很多面积，如果你电流镜对匹配要求不高到无所谓，但要求不高又干嘛用cascode，所以我认为不会是native
另外drain加宽只能认为是加电阻，而且离沟道远了压抗高点，是不是你这电流镜输出接pin的?所以为了esd把drain拉长点。
有道理，不过如果是普通管的话，两个管子的W/L比差不多，作为self-cascode的使用尺寸不合理，靠近电源的管子进入线性区了。
都是内部小电流（uA）电路，没直接连PAD。
下面是对应的NMOS cascode管layout
再下面这张图是以前反向的耗尽NMOS管，layout和上面的NMOS很相似
所以现在比较倾向于耗尽管，不过看来这种结构除了输出电阻大没什么好处
selfcascode本来就是让靠近电源地的管子可以到线性区来应对低电压，所以我觉得尺寸到不是问题，看上去觉得是合适的。但我看到n管的两个上面的管子单独和下面的隔开了，那我想你说是native可能是对的，再看p管也是隔开了，恐怕是用于特别低压的情况?
多谢帮忙分析！，这个芯片的工作电压2.3-6V，是普通的工作电压范围
小编，看看这个帖子。猜测你这是一个电源芯片，这种电流源结构在低电源电压的时候效果不错。
http://bbs.eetop.cn/thread-99306-1-1.html
这是MPS的电源芯片吧 5V 以及这种结构 都符合他们的工艺和风格