如何仿真CMOS开关的导通电阻
非常感谢！
http://jingyan.baidu.com/article/9113f81b0cc6e22b3214c7d5.html 我也推荐这个
这里有个非常详细的仿真方法，电路图、仿真设定、仿真结果图都有，
大家可以去看看，个人觉着写的很好很详细。
http://bbs.eetop.cn/viewthread.php?tid=480373&extra=
请问您的仿真电路图是什么?谢谢
挺不错，学习学习
前面的言辞我表示道歉，只是觉得，个人没有去教条的考虑哪个峰，我写的峰，只是为了方便小编去把马鞍调出来。当然你的理解是对。只是我现在使用的方法虽然是麻烦，可是个人感觉能方便解决后防，以及更为复杂的开关控制系统。
不错，是个好方法，也是最直观简洁的的。但是我的方法应该也可行吧，而且在0.11工艺里面应该也还是能出来马鞍的吧。如果控制系统中一条线路有很多和开关相互并联串联。
求大神的电路仿真模型
给点忠告却换来讥讽，呵呵。还是踏踏实实把基础打好，不要半瓶子醋直晃荡。
传输门就是nmos Ron 与 pmos Ron 并联，有那么复杂么
至于并联后的形状并不一定是所谓的马鞍形
至于仿真方法更是简单了，哪里需要什么ac，然后看低频，只需要看一下operating point即可
整那些花里胡哨的又有何用?
每个vin做一次，但是你要把等效电阻写个公式算它的值（低频取平均值），这样每次vin对应一个值，而不是线
应为你初始状态开关就是打开的，所以，开关另一端就等于vin。
每个VIN都做一次AC分析吗，那出来的就是N条线啊，如何出来一条Ron-VIN曲线，请明示
原理我知道，以前就是直接看建立曲线和FFT谐波失真的（这也是设计开关的最终目的），最近突然就是想整明白更为具体的细节。你给出的方法，我还有个疑问，就是开关与电容之间的点在AC仿真的时候应该要给个Initial Level，而且这个Level值必须是和VIN相近，以保证开关工作在Deep Triode Region.但是仿真的时候这个Initial Level加与不加竟然是一样的?！
1. 加的大电容是隔直流的，理论上可以去掉（AC源中的dc电压设置为0）
2. 我是在candence下ADE做的，用parametric analysis去扫vin，就能直接出来那条曲线了（开关电阻-Vin）
开关电阻的简易模型其实就是两个对称电阻并联结果，一个电阻在0-vdd逐级上升，一个逐级降低，有些时候没出来马鞍曲线，而只是单峰的，其实只是取决与这两个电阻变化的陡峭程度。
我试过了，挺实用的，谢谢！
有几个问题：
1.串联电容有啥作用，我觉得可以去除
2. DC Sweep之后需要记录每一个DC对应的AC电阻值，然后再画曲线。不那么直接，有没有更为直接的方法
好高端。
当然你的本质理解的很深刻，但是在理解本质之前，我觉得要先把眼睛睁大，看清楚小编想问的，小编只是想去验证一下书上的理论，.18工艺下的3.3V高压管我验证可以跑出来马鞍曲线（tt 常温 power3.3V）（280Ohm-440Ohm），或许我仿真的方法不对，但是我只是提出我的个人意见。可能用的工艺比较烂，仿真条件给的比较好，让大神见笑了。
大数量级。开关导通电阻是个大数量级?
人家只是想验证一下书上的理论，难道PNmos的传输门没有这种特性?请问你的中间最高又是怎么得来的呢?
在低压下LP工艺哪里来什么马鞍曲线，都是两头最小中间最高，而且是大一个数量级
马鞍曲线只是使用与VDD>>vthn+vthp的case下
不能这么教条的看这个峰那个峰的，还是要理解本质的为好
DC sweep
不是，是那条马鞍曲线
1/gm?