关于BJT的击穿电压的问题
时间:10-02
整理:3721RD
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我在用IBM BIMCMOS013工艺,datasheet中说BJT的BVCEO(b极开路时,CE击穿电压)=3.55V,但是同时也说击穿电压并不固定,且取决于偏置,如下图。
![](../imgqa/etop/rfic/rfic-5380e120hxl0q2c.png)
然后我对这个BJT进行DC扫描时发现,在Ib很低时,IV曲线确实在3.55V就往上拐了,表示击穿了。但是在Ib较高时,击穿电压会更大。这就是说当Ib比较高时,就可以有更高的CE击穿电压?
![](../imgqa/etop/rfic/rfic-5381rdxtsdev1ua.png)
另外,CE极瞬时电压可以高于CE击穿电压工作吗(直流电压小于击穿电压)?
![](../imgqa/etop/rfic/rfic-5380e120hxl0q2c.png)
然后我对这个BJT进行DC扫描时发现,在Ib很低时,IV曲线确实在3.55V就往上拐了,表示击穿了。但是在Ib较高时,击穿电压会更大。这就是说当Ib比较高时,就可以有更高的CE击穿电压?
![](../imgqa/etop/rfic/rfic-5381rdxtsdev1ua.png)
另外,CE极瞬时电压可以高于CE击穿电压工作吗(直流电压小于击穿电压)?
BJT“击穿”后的MODEL准吗?
CE击穿电压和基极偏置电阻值有很大关系,基极开路时VCE不能超过VCEO,基极阻抗降低时该电压值可以增高。
如果这个管子恰好是cascode管的共基极管,当基极偏置电阻较低时,VCE最高可以接近BVCBO
当基极偏置电阻较低时,VCE最高可以接近BVCES
谢谢!我懂了!
谢谢!明白了!