如何提取spice model中的参数？

在设计电路时需要手工根据公式估算，那么先要知道电子和空穴的迁移率un、up和栅氧电容Cox以及阈值电压Vth。
但是bsim3的level49 spice model中只能找到Vth，那么un、up，Cox如何得到?

用simulation倒算

谢谢
根据id公式和跨导gm公式算出的u*cox还是不一样的

Calculate meff so that we can get KP=uCox and for
MOBMOD=1.
VT = 0.62volt
VT := VTH0 + VT_body_effect - VT_charge_sharing - VT_DIBL + VT_reverse_short_channel + VT_narrow_width
Liu A-26
VT_DIBL = 0.249 volt
VT_DIBL exp -DSUB
Leff
2×Lt
×
æçè
ö
÷ø
2 exp -DSUB
Leff
Lt
×
æçè
ö
÷ø
+ ×
æçè
ö
÷ø
:= × (ETA0 + ETAB×Vbs_eff)×Vds
Liu A-29
VT_narrow_width = 0.00985 volt
VT_narrow_width (K3 + K3B×Vbs_eff) Liu A-31 TOX
Weff + W0
:= × ×2× ff
VT_reverse_short_channel = 0.148
VT_reverse_short_channel K1 Liu A-30
TOX
TOXM
× 1
NLX
Leff
+ - 1
æçè
ö
÷ø
:= × × 2× ff
VT_charge_sharing = 0.218 volt
VT_charge_sharing DVT0 exp -DVT1
Leff
2×Lt
×
æçè
ö
÷ø
2 exp -DVT1
Leff
Lt
×
æçè
ö
÷ø
+ ×
æçè
ö
÷ø
:= × × (Vbi - 2× ff)
Liu A-28
Lt = 59.275nm
Xdep = 80.701nm
Lt
eo× esi×Xdep
eo× eox
TOX
æçè
ö
÷ø
Xdep :=
2× eo× esi×2ff
q×NCH
:=
As an approximation, all Lt values
in Liu equations A-34 to A-36 are
taken as this which is A-34.
Vbi = 1.007 volt
Vbi
k× (TNOM + 273.15×K)
q
ln
NCH×1020cm-3
(ni(TNOM + 273.15×K))2
éêêë
ùú
ú
û
:= ×
Liu A-33
VT_body_effect = 0.23volt
VT_body_effect K1
TOX
TOXM
× × 2× ff - Vbs_eff - K1× 2× ff K2
TOX
TOXM
- × ×Vbs_eff if Vbs_eff < 0
K1
TOX
TOXM
×
( 2× ff)3
2× ff
Vbs_eff
2
-
× - K1× 2× ff K2
TOX
TOXM
- × ×Vbs_eff if Vbs_eff &sup3; 0
:=
Liu A-25, A-27
meff(Vgs) U0
1 (UA + UC×Vbs_eff) (Vgs - VT) + 2×VT
TOX
éê&euml;
ù
ú&ucirc;
+ × UB
(Vgs - VT) + 2×VT
TOX
éê&euml;
ù
ú&ucirc;
2
+ ×
:= This is calculated
according to BISM
section B.1.3 for
Vbs = 0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
400
460
520
580
640
700
meff(Vgs)
volt×sec
cm2
×
Vgs× volt
meff(0.7× volt) 555.291
cm2
volt×sec

我一直被这个问题困扰！我用电路仿真估算过参数，一是很麻烦，二是很不准确，误差很大，严重寻求更优解中……
你们有答案了么?

那看你要什么参数一般可以用 .print 来看
.print m1_vth=par('lv9(m1))
.print m1_gmo=par('lx7(m1)')
* see page 8-63 and 8-66 of HSpice user manual
.probe dc idrain= par('id(m1)')
.probe dc cgd= par('-lx19(m1)')
.probe dc cgs= par('-lx20(m1)')
.probe dc cgtotal= par('lx18(m1)')
.probe dc vthreshold = par('lv9(m1)')
.probe dc vdsat= par('lv10(m1)')
.probe dc gm= par('lx7(m1)')
.probe dc gmbs= par('lx9(m1)')
.probe dc gds= par('lx8(m1)')
.probe dc rds= par('1/lx8(m1)')

thank q

这个问题很简单 直接从model中找就是了 参数u0就是对应的un or up 至于COX可以从tox参数推出来！

有些参数在库里已经有了，有些可以用hspice提取出来。

算法一大堆，为什么不按照仿真结果倒推呢?

God save me！

一般我是找到tox，然后Cox=tox/epsilon
至于迁移率，U0是没修正的，初步估算就用它了，反正对于小线宽的工艺，手算的跟仿真的差别老大了

model里面有u、tox你要知道介电常数，这样cox、un or up就可以知道了。

markyiji