微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 微波和射频技术 > RFIC设计学习交流 > hspice仿真推挽反向器问题

hspice仿真推挽反向器问题

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
用hspice前后两次仿真一个推挽反向器,mos采用网上找的tsmc0.18的model,
第一次的网表如下
g1-40u
*g1 40u with cload=18.1u
.option probe node post
.op
.tran2ns2us
.printtranv(vsin)v(out)i(cload)
vinin0sin0.61u2meg
vccvcc01.2
cloadout01p
m1outin00cmosnw=2.5ul=6.5u
m2outinvccvcccmospw=6ul=3.2u
.end
直流工作点分析结果如下
element0:m10:m2
model0:cmosn0:cmosp
regionSaturatiSaturati
id2.1444u-2.1444u
ibs0.0.
ibd0.0.
vgs600.0000m -600.0000m
vds606.4601m -593.5399m
vbs0.0.
vth373.2803m -399.1572m
vdsat171.5570m -160.7269m
beta112.5600u136.5830u
gam eff584.2271m459.4313m
gm19.1001u20.3357u
gds43.1724n112.9938n
gmb5.2598u6.3138u
cdtot2.0816f3.7299f
cgtot114.7453f136.4126f
cstot61.6131f73.3507f
cbtot35.9118f37.3757f
cgs105.5277f129.0763f
cgd2.0501f3.5463f
cload电容上流过交流电流峰值为19.1pA
第二次仿真,网表中将mos管宽长改变,如下
m1outin00cmosn w=1.1ul=2.82u
m2outinvccvcccmosp w=2.4ul=1.2u
直流工作点分析结果如下
element0:m10:m2
model0:cmosn0:cmosp
regionSaturatiSaturati
id2.0772u-2.0772u
ibs0.0.
ibd0.0.
vgs600.0000m -600.0000m
vds595.2718m -604.7282m
vbs0.0.
vth380.5992m -414.0861m
vdsat166.2623m -151.1424m
beta115.2393u149.6602u
gam eff583.4382m458.3546m
gm19.0137u21.0028u
gds83.5822n161.9051n
gmb5.2542u6.4215u
cdtot889.0808a1.5026f
cgtot22.8377f21.9688f
cstot12.1450f11.5464f
cbtot6.7344f5.3624f
cgs20.6675f19.9320f
cgd862.5191a1.4705f
cload电容上流过交流电流峰值37.8pA
问题:
1.由于两个mos的gm约为20us,输出电流应为(gmn+gmp)*vin=40pA,
可是为什么两次仿真结果与4400pa均有这么大的偏差?
尤其是第一次?
2.将第一瞬态仿真的步长设置为5ns,那么直流工作点分析结果不变,但是电容峰值电流变为31.8pA,why?
多谢!

大家帮忙!
1、推挽反向器工作时应该只有一个管子导通 Iout=gm*Vin而不是你所说的gmn+gmp)*vin
并没有什么偏差。
2、不同的步长得到的瞬态仿真结果位于不同的时间点,所以结果会有不同。你设置步长为
1ns看看是否有31.8pA的峰值电流?直流工作点是一种静态偏置,对瞬态分析没有什么
影响,所以不会有变化。

大家帮忙!
1.推挽反向器如果是是工作在两个mos均饱和的狭小状态,两个mos都应该饱和吧?
况且我第2次仿真的过程里也得到了大约38pA的电流,这又该怎么解释呢?
2.不同的步长得到的瞬态仿真结果位于不同的时间点,但是对于一个正弦波的峰值来说,2ns的步长和5ns的步长进行仿真,不应该有19pA和31pA这样大的差别吧?
步长改为1ns,结果峰值只有17pA?
多谢!

大家帮忙!
1、孤陋寡闻了,没听说推挽级还有工作在n、p管同时饱和的,呵呵
如果两个管子都导通,增益Av=gmn(ron||rop) ,而(ron||rop)是与宽长比相关的。
2、我认为输入的正弦激励,饱和区gm=UnCox(W/L)Vds,不同的步长Vds的变化率是不一
样的,所以产生的输入电流也不会一样。

大家帮忙!

只是借用推挽级来说明电路的连接形式,
在看一篇论文,讲的是用推挽级这样的电路形式来作为一个跨导用。
论文中讲,在mos管均饱和的情况下,整个电路的等效跨导为两个mos管gm之和。
而我的仿真就是在跨导输入端加小信号电流,输出端接电容,测量电容流过电流从而
得到系统的跨导,从而与两个mos管跨导之和进行比较。
按照论文的说法,电容流过的电流应该为(gmn+gmp)*vin,按照我仿真网表中条件
电容电流应该等于40pA,但是实际仿真的结果显然与此差别很大。
不解?

大家帮忙!
那你还是仔细看看原论文如何推导这个跨导的吧。

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top