ESD 失效如何解決？
Process: UMC0.13um 1.2V/3.3V
Chip: Multi-power domain，有數位、類比 1.2V & 3.3V, 使用Faraday提供之I/O並且照其規則layout，內部電路為自行設計。
狀況：HBM 2kV-- All pass。
MM 200V-- 5個不同power domain的1.2V VDD-VSS (+)(-)fail，其它都pass。
CDM 500V-- MM fail的pin，也同時fail。
目前分析顯示損傷應位於內部電路，ESD保護電路無傷害。是否表示於esd 測試時，保護電路未成功觸發，請問此狀況要如何解決?
感謝大家的指導！
例如VDD1 VSS1 VDD2 VSS2。VDD1与VSS1之间的正负MM mode不过?
其它IO对VDD1和VSS1打ESD也可能经过这个VDD1-VSS1路径的吧，都过了吗?
看了HBM MM CDM的比较，后两者的上升斜率和到达的电流更高。觉得有可能是电压上升太快，在ESD器件开始流过大电流并钳位之前，其它地方击穿了。
小编确定VDD1对VSS1打负电压也会失效吗?
从你的叙述看，应该是fail在不同power domain的interface.
建议check一下power clamp与interface之间距离是否太远（VDD/VSS line电阻过大），可以就近加一些power clamp cell.
这个问题如果能看到整个电路的schematic/layout会比较好分析，可否提供?
感謝您的回覆，我說明得不夠清楚。
目前的打法是 vss1 vss2 .... vssN 都連接在一起打。所以是 VDD1-VSS 之正、負MM ESD fail。
其它IO對VDD、VSS 都有pass。
*目前如你所說，可能是esd作用之前，就擊穿內部電路，不知應如何解決。
*正負的確是同時都fail。正負各做3顆sample，至少都fail兩個，正與負pass or fail結果十分一致。
您好。在做VDD-VSS(+)(-)測試時，VSS是bond在一起打esd。
是否表示同一個power domain的VDD-VSS就已經無法pass? 而非不同power domain之間的問題?
謝謝！
貌似MM模式的电流波形是正负的，所以测试的时候正和负失效差不多。从其它的IO往VDD和VSS打ESD或者也经过VDD-VSS路径，但可能延缓了这个电压的上升（等效为一个串联阻抗）。
工厂提供的ESD有分IO ESD和power clamp吧，VDD和VSS之间用的是GCNMOS?
Hi,
我傳了其中兩個power domain的截圖，在打esd時，為圖中vdd 對 所有vss(bond together)去打。請多指導！ 謝謝。
是gcnmos沒錯。
但是在這種情況，是ic layout有問題嗎，或是需要重新設計esd保護電路?
typical來說應該是在IO作好esd防護就好嗎?又或者是在內部的每個block需要額外再做單獨的esd保護電路呢?
謝謝
Process: UMC0.13um 1.2V/3.3V
Chip: Multi-power domain，有數位、類比 1.2V & 3.3V, 使用Faraday提供之I/O並且照其規則layout，內部電路為自行設計。
狀況：HBM 2kV-- All pass。
MM 200V-- 5個不同power domain的1.2V VDD-VSS (+)(-)fail，其它都pass。
CDM 500V-- MM fail的pin，也同時fail。
目前分析顯示損傷應位於內部電路，ESD保護電路無傷害。是否表示於esd 測試時，保護電路未成功觸發，請問此狀況要如何解決?
分析-HBM 一般遵守FAB的ESD guildline可以pass 2KV
MM与CDM的ESD电路设计不同于HBM的ESD电路设计，需要再设计
也就是说,如果芯片需要PASS HBM/MM/CDM，需要有3套ESD电路
从你的芯片版图IO环上可以看出，是电源环是物理隔离的，没有形成回路，打ESD导致往高压内部电源地网络中去啦，所以内部器件损坏。
感謝提示！
請問一下 所謂的3套esd電路具體來說是怎樣實現！ 是否可以說細一點?
for mm & cdm 分別要用怎樣的架構呢?
謝謝 Orz..
請問一下，所謂沒有形成回路是什麼意思，可否說明一下?
目前的layout方式是照fab建議的方式，跨domain的lay法也是，感覺上應該沒有什麼大問題才對，麻煩提示一下，謝謝！
问题解决了么 ?
layout应该画得也不好
真有意思，最该pass的VDD-VSS出问题了。
这么多power domain很危险的啊，domain之间都必须加比较宽的guard ring隔离。
另外可以参考一下标准IO VDD和VDDH之间是怎么防备ESD的，除了VDD-VSS和VDDH-VSSH的clamp，
VDD-VSSH和VDDH-VSS之间也是有clamp的，另外VSS-VSSH之间有back-back diode，还有保证
有一个比较粗的通路当做ESD buss (在标准IO里面是VSSH).
你这么多VDD的domain，有保证不同的VDD对不同的VSS有clamp吗?不同的VSS之间是back to back diode相连吗?如果没有前者，那你的ESD buss只能有VSS来承担，那可得画得比较粗一点。还有两个power IO之间不能超过200u噢
做一下失效分析，拍照片
感謝感謝！