同样的结构为什么65nm的放大器增益下降这么多

用的是同样的结构，如图所示，在0.18um，tsmc，3.3v供电时增益可以达到62dB，然而在65nm，tsmc，2.5v供电时，增益却只有42dB。而且我试了其他几种结构，发现同样的结构在65nm，2.5v下增益都很低。这是怎么回事?求指教。

尺寸一样吗?不考虑其它的，仅仅是电源电压下降，也会导致电源电压下降，因为1/gds会随Vds增大而增大。eetop应该再为新注册用户分出一个区的，我的帖子沉的太快。

尺寸w有些改变，L没变（最小尺寸），仿了一下单管，在同样的电流下，他们的gm差不多大小。

试试对比两种工艺下管子的rds是否有较大的区别, 增益通常由gm和rds决定, 如果gm变化不大, 可能是管子的rds有较大区别.

如果L都是最小尺寸，那么rds变化会比较大。

是因为lamda变了吗?

首先看看各个管子的工作状态，然后确定不同工艺，管子的输出电阻是否有很大的变化。

这是很显然的。

深亚微米的本征增益本事就要小

谢谢大家，我把沟道长度从280nm改为1um以后，增益达到了84dB，增加了40多dB，我觉得可能是沟道长度系数的影响导致输出电阻太小了，所以增益很低。