LDO的调准MOS管一定需要工作在饱和区吗？

不一定，轻载和重载时也有可能分别工作在弱反型区和线性区，也可以设计都工作在饱和区，视情况而定

最好保证在饱和区和亚阈值区，线性区的话也能用，不过性能掉的会比较厉害

例如重载100mA，轻载100uA当然会进入亚阈值区

必然要看负载，抛开负载谈都是虚的

LDO 需要看主要工作在什么电流条件下，才能讨论 psrr以及饱和区等问题

首先确认一点：
我说的MOS管的饱和区是：漏电流不随VDS电压变化而变化的那个区域。
我感觉很多人没有严格区分这个区的命名。有说线形 区 的，有说放大区 的，有说饱和区的。
其次，我这个调准管用的是PMOS，输入VIN范围6-60V，输出5V。如果GS间电压最大只能5V的话，再如果VTH是1V的话，VIN>=9V的话，PMOS一定在饱和区。
再者，我的输出范围是30uA-30mA。
所以，你说的“LDO 需要看主要工作在什么电流条件下，才能讨论 psrr以及饱和区等问题“，该怎么说?

如果范围在30uA-30mA 看你的W/L 尺寸和 你的功率管栅电压可以变化的范围。 我觉得可以设计成全范围基本是饱和区

但是如果是设计要求比如10uA--100mA甚至几百mA
那么就不一定了

1. 是你自己混淆了三极管和MOS管的工作区；对于MOS管，饱和区和线性区是不一样的；2. 对于你说的PMOS管的LDO，一般做法是，为了做小RDSON，及满足大负载电流的需求，这个调整管宽敞比会设计的比较大，那么在小电流或者空载的时候，反馈就会将PMOS的VGS调小，大多数会小于阈值电压，这样调整管就会进入亚阈值区；

学习中.....我的放大器5万倍，有管子还工作在线性区。

也就90多db而已。管子工作在线性区，看增益有什么用?

wsetgseftgsdregt

大神能否具体讲一下调整管工作在线性区时，LDO性能下降的原因?