Intel 的 3D 記憶體比現代儲存媒介快 1000 倍 憶阻器？
时间：10-02
整理：3721RD
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自從 1989 年NAND（反及閘）發明以來，已有 25 年的時間未出現新的記憶體架構變革。Intel 與 Micron 日前共同發表新款記憶體 3D XPoint，號稱比現有的快閃記憶體
耐久度和速度均快上 1000 倍，儲存密度為動態隨機存取記憶體的 10 倍。
ntel 和 Micron 於 7 月 28 日舉辦發表會，推出共同研究的新結構的非揮發性記憶體，稱之為 3D XPoint。強調比現今使用 PCIe∕NVMe 介面的 NAND 快上千倍，耐久性也是千倍，接近動態隨機存取記憶體（DRAM） 的資料吞吐速度，儲存密度更是動態隨機存取記憶體的 10 倍以上。
Intel 的 3D 記憶體比現代儲存媒介快 1000 倍
Intel 和 Micron 共同發表的這個新的「3D Xpoint（發音如 cross-point）」，其實就是我們多年前寫過的憶阻器和材料技術的實用化。至少很難得地，這個技術竟然能照著預計的時程推出，之前答應「2016 可以實用化」，目前看起來應該是沒有問題的呢這顆新晶片利用了兩個新的技術：一個是可以改變電阻的一種晶體，對這種晶體施加電壓可以改變它的電阻值，並在電壓消失後繼續保存著。如果我們把不同的電阻值視為數據的 0 或 1，那測量電阻值就可以知道這個晶體存放的資料是什麼了。第二個技術是稱為「crosshatch」的電路結構，由垂直方向的多層細密電線交錯而成，層與層之間連通上述的晶體。這種方式的資料儲存是立體的，所以在密度上可以比普通的 NAND 高十倍，讀寫快千倍，而且也更耐久。這麼一來，憶阻體可以有等同，或甚至超過 DRAM 的表現，而且還是永久儲存，不會因斷電而損失資料。說不定它可以在未來，讓記憶體和存儲的分野消失，CPU 直接去讀寫硬碟的資料！
所以 使用 ssd 將出現新革命了嗎
耐久度和速度均快上 1000 倍，儲存密度為動態隨機存取記憶體的 10 倍。
ntel 和 Micron 於 7 月 28 日舉辦發表會，推出共同研究的新結構的非揮發性記憶體，稱之為 3D XPoint。強調比現今使用 PCIe∕NVMe 介面的 NAND 快上千倍，耐久性也是千倍，接近動態隨機存取記憶體（DRAM） 的資料吞吐速度，儲存密度更是動態隨機存取記憶體的 10 倍以上。
Intel 的 3D 記憶體比現代儲存媒介快 1000 倍
Intel 和 Micron 共同發表的這個新的「3D Xpoint（發音如 cross-point）」，其實就是我們多年前寫過的憶阻器和材料技術的實用化。至少很難得地，這個技術竟然能照著預計的時程推出，之前答應「2016 可以實用化」，目前看起來應該是沒有問題的呢這顆新晶片利用了兩個新的技術：一個是可以改變電阻的一種晶體，對這種晶體施加電壓可以改變它的電阻值，並在電壓消失後繼續保存著。如果我們把不同的電阻值視為數據的 0 或 1，那測量電阻值就可以知道這個晶體存放的資料是什麼了。第二個技術是稱為「crosshatch」的電路結構，由垂直方向的多層細密電線交錯而成，層與層之間連通上述的晶體。這種方式的資料儲存是立體的，所以在密度上可以比普通的 NAND 高十倍，讀寫快千倍，而且也更耐久。這麼一來，憶阻體可以有等同，或甚至超過 DRAM 的表現，而且還是永久儲存，不會因斷電而損失資料。說不定它可以在未來，讓記憶體和存儲的分野消失，CPU 直接去讀寫硬碟的資料！
所以 使用 ssd 將出現新革命了嗎
好厉害的样子