大牛们！看看这个悬浮的N会怎么样？
另外需要说的是，这个悬浮的N环接的是一个LDO的输出，此时是悬浮时因为LDO不工作了，并且只是悬浮而没有被拉低到0电平。
??
any bodies here?
没有关系吧，反正衬底是0，就算N环拉到0，也是个反偏结。但对N环的话，环电位越高越好吧，保证隔离嘛。
NPN
30V - 0V - -0.5V
导通
为何悬浮的N也会有大概6v的电压?
你说的N环是那个悬浮的N环吧?
现在就想知道它为何会有6v高电压出现！
在你测得为6V的时候，多次去点，对LDO电容放电试试，看电压是否会慢慢下降，确定一下是不是电容上存储的电荷啊?
还有，你观察到的方波，是周期性的，还是就一个pulse，然后就没有了?如果是的话，那就是电容上存储的电荷，你用探针点的时候，把上边的电荷放掉了。
如果是pulse的话。
周期性的。
有人吗?
?
个人猜测：
感觉你这不是真正意义的悬浮 因为接了LDO 输出LDO 输出端有负载 估计不是特别大
因为你的NPN trigger Local P-sub已经不是0V， local P-sub估计在6.7V 左右
但N接到外部负载，这是PN结行程，所以LDO输出看到是6V左右……
和真正意义上的悬浮guard ring 差别很大……
对，芯片里的LDO的输出，也就是悬浮的VCC在芯片里接了电容和用于LDO反馈的反馈电阻800K。
你说的local P-sub是指什么?是指悬浮N和30V N之间的P-sub吗?
为何local P-sub能到6.7V?是什么让sub有这么高的电压?
1、查一下是不是真的floating有没有soft connect?
2、检查nring与周围p layer成的二极管的击穿电压由多大，有没有可能击穿?
没有看到你内部NWELL 和 30V NWELL 之间有足够的Psub connectPsub 是有一定阻抗的 如果没有足够衬底接触，是可能的ground bounce 很正常啊
貌似又是Low Side mosfet 防latch up 和内部电路误动作 的 guard ring 真正的悬浮ring不是这样接的
即使LDO输出到6V 你担心什么呢?
没有看到NWELL和30V NWELL 之间足够的衬底接触 Psub to Ground如果有足够的psub 接触 电压应该不会到6V
真正的悬浮ring不是这样接的 不过这样接也没有什么大问题 关键是要有足够的衬底接触
同时layout space 要放的足够远 否则打ESD 可能就挂掉喽
貌似又是一个Low Side NMOS 续流时的保护guard ring