关于LNA匹配的疑问
Zin = sLg +1/sCgs+ gm1*Ls/Cgs= sLg +1/sCgs+wt*Ls
合理选择Ls，使之Zin的实部=50ohm，然后根据Ls选择Lg，使得sLg +1/sCgs项谐振。
（其中Lg是输入电感，Ls是源负反馈电感。做过LNA的朋友应该对这个公式很熟悉了）
我的问题是：
以上的理论解释是否仅限于片外没有匹配元器件的情况?假设片外的匹配器件可以足够多（当然纯属假设），理论上应该是可以匹配到任何值的。
如果是这样，我觉得可以去掉片内的源反馈电感，毕竟太占面积了。
请赐教。
自己顶一个！
该式并不仅限于片外没有匹配元器件的情况（和片外器件无关），假设片外的匹配器件可以足够多，同时Lg，Ls不为0，理论上确实是可以匹配到任何值的，但是你去掉片内的源反馈电感，Ls=0，Zin就没有了实部，不管你片外怎么匹配，都搞不到50欧的，Ls要保留，哪怕是寄生电感。关于面积大的问题，如果允许片外匹配，你可以取较小的Ls，使实部为几欧到10几欧，到片外就随便你弄了
不太明白，为什么必须要Zin有一个实部，才能通过片外匹配到50ohm?
难道就不能通过片外器件直接匹配到50ohm?
LNA就是把匹配集成进去了么，你如果把匹配坐在片外，跟晶体管没什么太大区别了，而且加外围电路比片内占用的面积更大吧
如果没有实部，在Smith阻抗圆图上，Zin位于半径为1的最外一圈圆上。在Smith导纳圆图上，Yin位于半径为1的最外一圈圆上，是同一个圆，Zin接入一个无源无耗的匹配网络，如果是串联电感或电容，它就在阻抗圆图上移动，如果是并联电感或电容，它就在导纳圆图上移动，因为是同一个圆，无论怎么移，都弯不进圆内，更谈不上到达原点了，它能到达纯阻的只有2个点，0和无穷大。
如果不熟悉圆图，也可以这么理解：一个纯电抗的Rin，接入一个纯电抗的网络，整个网络仍然是纯电抗，它不存在阻性分量
本人认为，阻抗匹配在LNA中的地位只排第3，因为要兼顾噪声匹配到最佳源阻抗，s11弄到-15db就差不多了，噪声系数和增益是重点
如果那样的话，matching Q会很大，导致匹配网络的寄生电阻噪声被放大得相当大。
buckaroo的意思是如果LNA片内没有实部的话，匹配网络的Q会很大，噪声会很差?
我做LNA也流过几次片，感觉没有用源极负反馈电感的情况下也没有出现匹配困难，噪声系数差的问题。
所以不太想得明白原因。
如果没有LS，LNA输入阻抗是容性，考虑栅电阻，等效并联阻抗很大，几k，这样匹配至50ohm的话，片外网络Q
很高，对器件很敏感，很挑剔，根本不可能应用，如果你不匹配，那就会遇到不匹配的一系列问题，至于这个影响有
多大我也不是很清楚，李基熙书上有对不匹配的讲解
1)这是一个反映基本原理和概念的式子，不是精确式，它忽略了Rs，Rg，Cs，gmb，适合手工估算，和实际及仿真不完全吻合的，一切实际的MOS管都有寄生Rs，Ls，Rg，所以实部不会完全=0，在ft很高的情况下尤其如此。RF MOS管模型本身就含有Ls，即使外部直接接地
2）实际元件组成的匹配网络，不可能是无耗的，或多或少一定有实数分量的，L，C模型都含有R或G
3）实部全部由寄生Rs，Ls，Rg贡献，工艺一点点的偏差就会引发大幅变化，这不是一个好的设计思路
在本帖中，您提到了栅电阻，那么，请教一下，栅上的等效电阻，一般在Gohm量级上，是吗?
谢谢。
即使没有Ls，LNA的输入阻抗也会有一定的实部存在，其实最主要不是因为栅电阻，而是由于Cgd的存在
小编可以简单推一下，很多rfic的讲义上有，考虑Cgd、gm、(ro//Cds)，不难推出实部的存在。
理论上单纯用片外元件，在单个频点肯定是可以匹配到15 ohm的。
但如果是要从一个很大的阻抗直接转到50ohm，Q值很高会带来问题（前面buckaroo也提到了，我这里再具体说一下）
1.匹配网络的Q值越高，单纯片外电感的Q值的带来的损耗就越大，不利于噪声系数，一般片外的电感在几个g的频率下，Q值也就30～50之间。
2.粗略讲，匹配网络的Q值越高，S11<-10dB（或-15dB)的带宽就越窄，即使是窄带通信系统，在考虑到PVT corner，以及片外元件通常的5~10% variation情况下，未必能全部cover。如果你要做产品，这是不可接受的，除非你只是发paper。
3.如果用多级级联来降低Q，用的电感数目就会增加，带来的Q值损耗和成本也会显著增加，测试时也更不方便，更没人这么干。
即使对于窄带系统，一般片外的匹配网络Q值不要超过7～8。如果宽带就更要注意了。
现在的深亚微米，28/40/55nm，Ft足够高
很多产品里的LNA都是inductorless，NF也都足够用了，看看MTK每年的isscc paper就知道了
感谢分享~
你好 可否告知是哪年的isscc论文 我把2011 2012 2013 2014 2015的都找了也没找到 如果能提供下载地址 万分感谢啊！
ISSCC2014---20.7<A Multi-Band Inductor-Less SAW-Less 2G/3G-TDSCDMA Cellular Receiver in 40nm CMOS>
ieee上随便一搜induct less LNA就有无数paper了