运算放大器中低噪声和低功耗是个矛盾值吗?
时间:10-02
整理:3721RD
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单个MOS晶体管中,根据噪声的计算公式,Vn^2=In^2*Ro^2 .Vn^2 = 4kT*2/3*gm*Ro^2---(1)
gm=sqrt(2*u*Cox*W/L*Io)-----(2)
Ro=1/(lammda *Io)-----(3)
把(2),(3) 带入到(1)中,
得到 Vn^2 正比于 1/(Io^1.5)
那么说 ,在MOS 管工作在 饱和区 的沟道噪声 跟电流是反比的。
当电流无限小时,噪声就会无限大。直到电流小到让MOS 管进入 亚域区或者线性区。
以上的说法有问题吗?
gm=sqrt(2*u*Cox*W/L*Io)-----(2)
Ro=1/(lammda *Io)-----(3)
把(2),(3) 带入到(1)中,
得到 Vn^2 正比于 1/(Io^1.5)
那么说 ,在MOS 管工作在 饱和区 的沟道噪声 跟电流是反比的。
当电流无限小时,噪声就会无限大。直到电流小到让MOS 管进入 亚域区或者线性区。
以上的说法有问题吗?
同问
不要忘记带宽的影响,虽然noise floor会提高,但是带宽也相应减小
放大器可能看噪声系数,更能反映放大器实际噪声特性。
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