有关带隙基准源的问题

或者谁能解答下仿真的问题，就是用analoglib库的CMOS4和NMOS4和tsmc18rf库CMOS2V和NMOS2V有什么不同

求大神啊，真的很急

analogLib里的器件是理想器件，4表示是4端器件。 tsmc的库里器件是比较接近实际的器件，2v应该表示1.8v器件。

关于怎么用cadence仿真建议你还是看看教程，基本的bandgap电路看razavi或者allen书上的基本结构学习一下

哦，再问下，我找了一个传统的教程上的无运放带隙基准源仿真试了下，如果原本的参数设置是P33，W=20U L=5U的PMOS改成PMOS2V的PCH会不会对电路造成影响。我用a工艺库里的CMOS4不能仿真，只能用t库的CMOS2V，但仿真得到的温度变化和瞬态特性都不符合结果。

都看了，就是仿真不出来，还有原理不太懂，就是教材上的传统的无运放带隙基准源，用一个MOS管做启动电路看不懂。

原理不懂，就别指望仿出来了。要么先把原理搞懂，要么搞一个现成的IP仿仿帮助理解。

。楼上正解。自己先看书看懂。很好懂的。然后仿一个基本的结构试试，。，。

这个事情还得自己逼迫一下自己，原理不懂，别人说得再多也是枉然

Hi kakawukong:
You need to understand the bandgap principle and formula.
It will let you know how to set the path current, the bjt ratio and so on.
mpig

能加个Q聊下吗?周围没什么人能够请教的。

哟。撸主应该是毕设吧。把拉扎维的书看看就懂了呀

恩，是毕设。我基础比较差。

先学会原理 才能懂的。

推荐何乐年的模拟电路设计和仿真