微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 微波和射频技术 > RFIC设计学习交流 > PMOS管工作区间判断

PMOS管工作区间判断

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
关于PMOS管工作区间的判断,有些问题想请教一下大牛们。


因为P管的阈值Vtp<0,一般情况下源级电压高于栅和漏,这样Vgs和Vds出现了负值,在与Vtp比较时就有点晕了,如果我都加上绝对值的话用判断N管的方法来判断P管的工作方式可不可以了?下面是我的理解,有不对的地方请大家帮我指出来,小生感激不尽!
(1)|Vgs|<|Vtp|时p管处于截至区
(2)|Vds|>=|Vgs|-|Vtp|时p管处于饱和区
(3)|Vds|<|Vgs|-|Vtp|时p管处于三极管区

是的,多判断几次就熟了,电路看多了就知道了

我这样理解对吗?

可以这么理解

可以这样理解的

为什么一定要按NMOS记呢,这样不顺一点吗
(1)Vsg<|Vtp|时p管处于截至区
(2)Vsd>=Vsd-|Vtp|时p管处于饱和区
(3)Vsd<Vsd-|Vtp|时p管处于三极管区

哦哦。好的!谢谢

对哦。这样更方便!

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top