芯片温度分析问题

具体一些。

比如短路导致的内部功耗高达3W，die到环境的热阻为40度/W,理论上温度最高会升到：环境温度+120度，我想知道这个温度上升时间大约多长。按热容的概念算了一下，热容基本是mJ/摄氏度级的，理论上温度上升速度应该不会很快（ms级），是这样分析吗?

没有量化过， 你问这个 是处理什么问题呢?

想对芯片内部功耗过大时，die的温度特性有个量的了解，会不会输出短路大电流时，芯片温度升高太快，导致过温保护来不及启动芯片就热损坏

有了解这一方面的大神吗，指导一下啊

如果觉得过温保护反映不够快，就再整个过流保护呗。
实际上，单纯而短暂的温度过高（<300度）并不会影响太多，更多的是某区域内电流密度过大导致导线熔断而损坏芯片。

谢谢回复，还是想给自己上面的分析下个结论，是否可以根据热容大小确定温升速率。如果这样，那温升速率就不会太快的

芯片温度会迅速增加

硅的比热容 700J/(kg*K),0.171卡/(g*K)
硅的密度 2.34g/cm3=2.34g/1e-6*m3
设硅片厚300u=0.3mm
5mm*4mm*(0.3mm)=6e-9的质量是2.34g*6e-9/1e-6=14.04mg就假设是10mg吧
升高120C需要 Jtot=700J/(kg*K)*10e-3(g)*120(K)=0.84J
3W的功率，需要时间是0.84/3=0.26s。
我也真够无聊的。
输出就算短路，内部电路要将电流限制在某个范围内才能保证可靠性。

怎么能说无聊呢，哈哈，谢谢解答

小编说的确实是一个问题 我也考虑过但是芯片其实如果有个过流保护的话基本上就没有问题了，芯片过温保护的作用我想还是一般考虑在过高的环境温度下去起作用，芯片本身由于工作产生的温升在正常工作情况下会由于对外界的散热导致平衡会不使芯片温度一直升高，而诸如负载不合理使芯片的输出功率增加的很厉害这需要过流保护电路去限制。
而且，一般你需要对做PCB的有一个指导，让他们在管脚上铺更大面积的铜这也可以对OTP有帮助。