flyback的原边电流检测电阻两端在开关管关断之后有振荡
在功率管的和地之间接一个电阻Rcs作为电流检测电阻，如下图所示
但是VRcs电压在功率管关断之后会有严重的振荡，导致一段接VRcs的比较器误翻转，使得电路无法正常工作。
VRcs电压的波形如下图所示，MOSFET含有是一个含有寄生电容的模型。
建议将VRcs通过一个RC低通滤波后，再接入比较器。另外注意RC值的选择
可能是这么回事~
但是接了还是没有用，不知道是不是因为选的数值不对！这个总是可以调节的。
请问还有没有别人也做过这个?因为我的问题最重要的是现在没有办法查到这个振荡的来源，这才是最致命的问题啊
不是.. RCS 後接到 內部 rc 是防 負壓 , 一般都會在 gate turn on前有
leb 會遮掉 .
但你的問提是 gate off 後 因為 light load 下會進 dcm 吧 ..
transformer那邊 diode 怎會是反向對接 ?
應該一般加上 snubber rc 才對 , second side 就放 load
對拉你的 transformer model ?
Flyback 是利用 gap 來儲能 都須要一個漏感來模擬 .
我对于你的意见不是非常理解，我已经采用了一种RCD的方式来消除漏感的影响，电路图如下
但是结果似乎还是不奏效，
还有在现有的电感量（1.95025mH）下，负载平均电流为400mA的设定，并非轻负载条件下。
副边可以从电路图中看到，也接了RCD来避免漏感的影响。
对于以上图片中提到的POWER_MOS的模型如下
这个在POWER_MOS关断之后出现的56MHz的振荡的来源无法查明?
似乎也没有文献汇总提到过关于这方面的问题?哪位高人又有相关的资料?或者怎样查到这个相关的资料?
如果没有相关资料，那该怎样去消除呢?
POWER_MOS的模型是根据FQD2N80的模型建立的一届模型，Gm=2.4 S
其他寄生电容也是如图中所示。
可能是关断之后，导致的RESET不再作用。
而此时SET信号导致的非正常信号使得GATE立即开启，LEB问题再次导致了频繁的开启关断。
因此，应当在RESET信号上升之后维持一段时间（用窗口比较器还是hold住信号的办法需要具体选择）的以防止LEB放电为题导致的振荡。
能 probe primary side 電感 + second side 電感電流 +rcs 流過電流 ..
另外先拿掉 電感上 snubberc1 r4 d0
也拿掉 l2
先只有留 l0 + l1先單純眼 ,
在 sim 看看 .
如果FQD2N的model是第一次用,请先换一个理想switch替代它看看
樓主後來 simulation PSR OK ?
PSR到底是如何變頻?還是都FIX FREQUENCY + JITTER 方式?
遇到了一样的问题，请问小编最后是怎么解决的?应该是关断时刻原边电感和MOS寄生电容谐振产生的，但是要怎么处理呢
