讨论一下pmos衬底接地 有没神奇效果？

你分析一下版图就知道了

注意 pn结要正偏了
mos工艺不只是有mos

版图不注意的话，在大电流条件下会latch up

vth会降低，作死

PMOS的body接地，PMOS都没法用了，还何谈降低vth

就算body不接地,Vth也因為Vbs變大而變大,基本的東西要搞清楚

效果是：“开门，顺丰快递！”

PN结直接正偏，爆炸！

接地肯定不可取，不过可以浮空衬底，这样速度会快一些。

小编脑洞有点大啊。
神奇效果就是chip变身打火机，哪里不会点哪里，从此妈妈再也不用担心我的学习～

哈哈！感谢楼上的意见！
我的结论是 如果把PMOS的衬底通过大电阻接地 让PN接处于正偏的临界点！ 那么VTH确实降低，对比了一下 在-40度的情况下 如果把衬底接电源 vth =650m 的样子衬底通过大电阻接地 vth =360m ！ 哈哈敢不敢用就看自己对电路的控制能力了！

哈哈！感谢楼上的意见！
我的结论是 如果把PMOS的衬底通过大电阻接地 让PN接处于正偏的临界点！ 那么VTH确实降低，对比了一下 在-40度的情况下 如果把衬底接电源 vth =650m 的样子衬底通过大电阻接地 vth =360m ！ 哈哈敢不敢用就看自己对电路的控制能力了！

你说的这个也有可能，不过那样，latch up风险比较大

是的Layout 需要好好规划，出现latch up的可能性确实很大。 电路设计就是要胆大心细！

good idea

我突然想到你这还有一个问题，模型可能不支持。就我所知，TSMC提供的模型只能支持到Vsb正偏100mV，就算仿真OK,也不能说明问题。