关于bandgap中运放的仿真？
我的建议是你要调一下，因为非饱和区的MOS工作电流你是无法确定的！这个时候电流的变化非常大！而且处于非饱和区你的镜像电流（或者自偏置电流）就毫无意义！仿真是基于你运放的工作点来完成的，实际上你的工作点不一定是这个，所以一定要调~
我也遇见过同样的问题,受教了
怎么仿相位裕度啊?以哪个点做输出点?
猜测是VDS太小进入线形区?输入电压超出了最低输入电压范围?
不知道你的bandgap是什么结构有什么影响不好做判断
仿真通过不代表实际不出问题，所以仿真结果都应该有较大的裕量
2楼说的有道理
dddddddddddddd
如果想让设计工作的可能性更大，最好把它调了. 可以提高输入电压或者降低尾电流的vdsat
不知道具体电路不好评论。但是如果用了cascode做电流镜，那一级管子的话，
如果你的电流用的比较小，确实不好调到饱和区的。
用的是p管还是n管呢
我的意见差动的尾电流源的作用是使差动运放的增益恒定。最好是饱和，这样保险一些。
二楼分析的透彻
对
确实是这样的
学习了
二楼说得有道理
你要首先分析他为什么工作在线形区，在你的叙述中一点也没有提到这个问题，你想办法解决了吗?
把电路图贴一下吧，大家交流交流
我曾经遇到过这个问题，是输入共模电压太低了
TT下留点裕度哦，Vds>Vgs-Vth+100mV应该就OK了
学习了！
学习中
兄弟，必须要把尾电流管调到饱和区，否则即便是增益和相位裕度够，但整个bandgap的PSR不一定好，运放的增益就是为了提高PSR的
樓上的正解~
我主要针对的是工艺偏差，而失调是芯片内部不对称不匹配引起
我指的工艺偏差是指大批量产时，芯片于芯片间的离散程度
主要是因为
（1）同一个wafer上不同位置的die
（2）同一批次中不同wafer上die
（3）不同批次中的die
工艺稳定会影响bandgap的初始精度
这方面主要关系到器件参数
（1）电阻绝对值的精度 约+/- 20%
（2）pn结电压等
这些其实受工艺决定，比如doping density ,the depth of difussion,
doping profile 等