关于一个EEPROM cell的工作原理

画的真难看。既不是示意图也不是结构图。而且还有相当的misleading。

你说我时态没有和少东西，你帮我看看，我没发现啊

能否讲讲misleading在哪里?另外如果把那两个mos cap换成电容的符号，是不是就能代表这个cell的模型了?

eeprom mos上有两个栅，一个浮栅，一个控制栅，控制栅和sub会形成一个mos电容，浮栅在靠近有源区的其中一侧有个微小的区域里栅氧更薄，所以形成一个图上所示的tunnel mos cap。这个图是想表达的这两个电容，但是画成这样会让不了解的人以为是三个mosfet构成一个eeprom。

control node 是要接电位的，tunnel node事实上就是mos的S/D。在没有eeprom工艺支持甚至只有1层Poly的情况下，这样弄也是可以的。但是foundry不会帮你保证yield

其实single poly e2就是这样的

你说的没错，1P的E2就是这样，但是我觉得1P来做E2只能是很无奈的做法，这个时候对E2的能力要求不能太高了。

我觉得LZ的原理图的样子，LZ十有八九就是只有那么几个bit的E2，工艺应该就是1P E2的工艺了

大概1Kbit 的样子。

learning ！

以前道是没有主义

请教一下eeprom擦写的控制电压是怎么产生