EEPROM设计问题

断电就没了

EEPROM 和通常的MOS根本就是两种不同的器件，一般的MOS只有一种状态,EEPROM根据floating gate里面的电荷可以有两种状态。这是为什么EEPROM是存储器的原因。

eeprom可以用普通的mos来做，会减少成本，问题是要牺牲面积，用两个mos管来代替浮栅和控制栅间的电容以及浮栅和漏极间的电容，普通的mos管同样是需要隧穿效应在类似浮栅的节点上充放电。至于存储时间上的问题还不是很清楚。

“用两个mos管来代替浮栅和控制栅间的电容以及浮栅和漏极间的电容”，有介绍这种结构的相关资料吗?我找了一下大多数都是和工艺相关的资料，有的话帮忙推荐一下吧，谢谢！

请教一个问题：用两个普通的CMOS管采用电容接法，在spectre中仿真，会正常出现隧穿效应吗? 我仿真时怎么无论加多小的电压等效浮栅上都会有电子?但是电荷只能保持几毫秒?
若有相关经验，请赐教，谢谢！

你的意思是将分在两个Nwell里的Pmos衬底加压差，然后让电子从一个管子的衬底里跑到栅上去?但是两个栅氧厚度一样的话，怎么控制电子只在一侧跑来跑去?比较好奇。

两个mos管的用电容连接方式，但是两个电容大小不一样，电容分压后两个电容的连接点就会一直有电势（这可能就是你说的一直有电子），这样小的电容上分的电压大，会有隧穿发生。仿真如果有model可以仿出存储的效果，否则只有像你说的现象，是存不住的，只能仿下外围的时序等

两个管子的大小不一样（具体比例由管子的隧穿电压值和外加高压确定），小的管子上分的电压大，外加的高压相当于全部由小管子来承受，隧穿只发生在它上面

了解了，谢谢指点。请问这种用法的电迁移现象是否明显?请指教。

如果用两个mos管的不是EEPROM了，应该是MTP(Multiple-Times-Programmable). 它的缺点主要是可擦写次数比EEPROM低很多. 但是优点是可以兼容标准cmos工艺，不需要像EEPROM一样有floating gate。MTP主要存储芯片的trimming信息，所以一般MTP的endurance要求不高，但是data retention要求会与EEPROM相当。

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