討論下不同代工廠做出 bangap untrim 範圍會多大？

討論下不同代工廠做出 bangap untrim 範圍會多大?
如 vanguard 0.5um 40v ..
opa + 2 diode Low voltage device bandgap ..
1.15vmaybe 整片 wafer 會是 +/- 120mv ..
一般會去TRIM
但如果要求 bandgap 1mvaccuracy ..
那不是一堆TRIM BIT?
且PACKAGE 後BANDGAP 一般會 shift~6mv ..
得 FT_trim (package trim)
能一開始做到 range 很小嗎?paper 提那些不都不準PAPER 上都是單顆實際量產是10k/wafer ..
一次是上萬顆 die ..
opa input W/l 已拉很大 , 降低 random offset ..
但 variation 就是如此.
換到 tsmcNuvoton ot chartered csmc ..會差多少?
tsmc process 比較穩那是否 bandgapvariation 會很小
還有RANGE 會和 corner model 一致嗎?

bandgap的离散性与工艺的关系不大。除非一些定制的工艺，比如MPS的。但是你如果要求1.2V的bandgap电压偏差在1mV以内，哥哥，那可是千分之一的精度啊！还真不会。

一般bandgap偏差3%以内就挺不错了，10年ISSC NXP发表了一篇精度0.025%的bandgap，带chopper和6bit trimming

如果输入管做的很大了，那换到同一个线宽的工艺变化应该不大。
opa + 2 diode 的结构对OP两个输入管的失配太敏感了，要想提高untrim精度，个人觉得只能换结构，比如用基极接在一起的NPN+多一路偏置 来实现。

1.2v 3% => 36mv ..
這是是整片 wafer跑出來UNTRIM 前都在 36mv?
那 lot vs lot ?
1 lot = 12 wafer , assume8" wafer 算 5K..
lotvs lot 間就是有 60K die 間 variation 都能在36mv 內嗎?
一般 design bandgapLSB=5mvMSB=80mv ..但太占空間.
目前碰到FAB 都是80~120mv ..
paper 那些沒量產過bandgap 都是騙人的
單看幾顆怎會準?
至少得看到幾千顆算 6 sigma 下來看 cpk
Fab 光控制 oxide thick 都有能力
有人說TSMC夠準但我是不知道

sim by corner ！