微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 微波和射频技术 > RFIC设计学习交流 > 两级运放结构电路仿真出的相位裕度始终不满足要求,请高人指点

两级运放结构电路仿真出的相位裕度始终不满足要求,请高人指点

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
两级运放结构如电路图所示,仿真出的相位裕度始终不满足要求,请高人指点,调节什么参数可使相位裕度符合要求呢?尝试过的方法有:
1)加大补偿电容的L,作用甚小;
2)减小第一级增益,也很小影响;
3)增大补偿电阻阻值,还是不行。





电容至少放大个10倍看看吧

that is not design

把第一级差分对的Gm减小到原来的1/10

负载呢?空载? 第二级gm做大 CC取大点无效?

电容放大太多,GM为nan了

负载300f的电容

good

次极点移的不够远

输出极点也就是第一非主极点没有移到环路带宽之外足够远,一般至少2~3GBW,增加第二级gm,试着加大补偿电容,调零电阻要调到适当值去尽量抵消输出极点

电路里面最下面两个管子是什么? 看不懂。

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top