现在的RF transceiver为什么大多用外接PA
然后在实际应用中普遍采用外接一个PA芯片来增加发射功率。
那为啥不直接将PA集成到transceiver里面呢?
是因为技术方面的限制还是出于成本方面的考虑啊?
工艺限制
电压低的原因吗?
已经有集成的商用产品了。
趋势是集成。
全集成是趋势，但是灵活性就低了，而且功耗大，对片上其他模块会有影响。
不止0dBm吧！都要20~30dBm吧
手机最大发射功率要1~2W，wifi是100mW
是不是现在PA大多采用GeSi的，而RF transceiver多采用CMOS的，所以难以集成?
以后趋势是集成PA，也应该是发射功率可调的吧?
20~30dBm是外接PA后的发射功率吧。单单一个PA driver应该很难做到这么大。
这就是为什么很难集成到一颗芯片上啊
还是没明白，把完整的PA集成到RF transceiver里面，替换里面的PA driver，那这个RF transceiver就可以有很大的发射功率了啊?
我意思是把PA集成进RF transceiver里有什么难点吗?还是说对整个transceiver有什么不好的影响吗?
莫非是我理解能力有问题?
PA需要发射20~30dBm，所以很难集成到CMOS soc chip上
20dBm对应电压幅度需要大概3V多正弦，CMOS只能用3.3Vdevice做，这是速度就是问题
更别说30dBm的发射功率了
其次，放个这么大的PA，PA 工作时整个地都在动，对RX是个巨大的干扰，isolation一直是个头疼的问题
3Q！大概明白了。
我现在理解的，从应用上就是满足不同用户的个性化需求，从技术上就是为了保证电路的稳定性和抗干扰性。
除了崩潰電壓、功率與效率上，CMOS還無法超越三五族製程的因素之外，還要看系統架構。以FDD來講，on-chip PA的leakage是一項很難解決的問題，因此才放到外面。
正解！
现在很多transceiver都集成了PA，包括WLAN CMOS PA，而且很多还是SOC，不过最后的堡垒是手机功放的集成，因为手机需要的功率更大，对系统的要求更严。但是无法排除将来集成的趋势，听说RDA将GSM CMOS PA集成于SOC芯片，照高通的势头，除了产品大力往天线靠之外，又收购了BS（BS的3G PA做得还不错），相信对于手机而言，集成已是时间问题。
工艺不同吧