请教5V 标准CMOS 工艺中LPNP的性能

有的5V CMOS标准工艺能制作横向PNP（P+ NWELL P+ ），用作运放的输入管，请问能保证IC + IB = IE，即不会有部分IE由于衬底寄生PNP（P+ NWELL PSUB ）而流到衬底去吗?请高手指点，谢谢！

这个问题很迷惑，因为如果IC + IB 完全等于IE，那么如果把C和B短接，就可以三极管的形式实现正向的PN结了， 而标准CMOS标准工艺是不能制作正向PN结的
但又看见有人在标准CMOS工艺用LPNP做运放的输入对管了（三个端口的电压都不是地），而且还在某个常见工艺厂量产了