基于CMOS基准设计的部分电路问题
基准电路改中Verf产生的电路部分上的最后一个PMOS不知道为什么它的电流不和前两个一致，而且他们的电流不是应该由下面的I=VBE/R7+(VBE1-VBE2)/R11, 得出与温度无关的电流，对应的求出R11与R7的比值，其中R7=R12。我仿真结果看这俩PMOS都在饱和区，为什么前两个没事，最后一个I3怎么不和前面相等?
望大神回复 详细点
你那两个PNP的base接哪呢?
很明显I3那个PMOS管工作在线性区，所以产生的电流不一样的！电阻R13太大了！
把PMOS 的L都增大试试！
1) pnp base should be connect with ground
2) I3 Vds is different with I1 and I2.
1.保证管子都工作在饱和区。
2.镜像电流跟沟道调制效应有关，理论上只有VREF跟钳位运放输入点电压相等时，三路电流才相等。
为了尽量减小VDS对匹配的影响影响，建议可以增大L，或者采样cascode结构。
VDS调制效应导致电流是不同的。也正如已经提到确保双极基地接地。
我的偏置是给OP了 ，电流I=VBE/R7+(VBE1-VBE2)/R11 产生，这样不可以吗
你BJT 基极悬空?
接上了 ，但是还是不好使。电流还是不同
感觉到你的启动电路有问题，你试试将启动电路断开试试，别加启动电路，你正常工作的时候电流是多大?
你这样都揉到一起不好调的。你先调Ibias，没有启动电路没关系，DC照样可以跑。再调EA，把EA基本参数调好。最后再把系统整合起来。
你要告诉我们你这电流不一样，是有多不一样，
因为channel modulation，电流不一样是正常的，关键是有多大不一样
启动断开?我基准部分的电流I=VBE/R7+(VBE1-VBE2)/R11,这样确定的前两个大概是7uA,但是最后一个却是5uA，这样定电流可以吗
我基准部分的电流I=VBE/R7+(VBE1-VBE2)/R11,这样确定的前两个大概是7uA,但是最后一个却是5uA，这样定电流可以吗?前面的偏置是二级米勒部分的偏置电流。分别是10uA,100uA,200uA.
我基准部分的电流I=VBE/R7+(VBE1-VBE2)/R11,这样确定的前两个大概是7uA,但是最后一个却是5uA，这样定电流可以吗?前面的偏置是二级米勒部分的偏置电流。分别是10uA,100uA,200uA.你说的EA是放大器部分?我都先做了仿真的结果没问题啊
这么小的电流，建议小编把pmos current mirrors的l调大，w减小一些
MOS应都工作在饱和区，pnp的基极应接地才有你想要的Vbe撒