mos管的电阻热噪声系数r在0.18um下应该是多少呀，有没有参考值？

这个就比较复杂了。

i don't know

对于满足关键电场Ec与沟道长度L的乘积远大于饱和漏源电压Vdsat（即：Ec*L>>Vdsat。至于说远大于，我们一般可以认为10倍以上就算是了）的MOS管子，可以认为是长沟道器件。一般L至少大于大约4um时，可以认为上式是成立的。而对于长沟道器件，MOS管子的热噪声系数γ为2/3;对于满足上面不等式左右两边接近，或关系反转的MOS管子，可以认为是短沟道器件。具体到多大的管子沟道长度就难说了，这是因为Vdsat可不是定值。然而，对于亚微米以下的MOS管子，热噪声系数γ可能需要一个更大的值来代替。比如你说的0.25um,热噪声系数γ值约为2.5哦（Design of analog CMOS integrated circuits, Behzad Razavi English Version pp.212）。此外，热噪声系数γ也随漏源电压变化。

同问?小编搞定木有