工作电流仿真和测试结果差距较大

芯片工作电流的前端和后端仿真差距不大，而和测试结果差距较大30％，而且在改变工艺进行仿真后的数据仍然比测试的大，而且测试的工作电流和均值的差距也有＋－15％以上，这难道和其中设计的模块相关?费解！有没有人碰到过这种问题啊?

是高速电路吗?一般模拟电路只要不是太高，比如1G以上
仿真值还是可信的
特别是TSMC工艺

内部有浮空结点

谢谢！不过我想问一下，这个工作电流和速率有关吗?仿真时我没有给激励的输入高速信号，只是给了一个电源电压仿真出来的；

谢谢！我又到电路里面去check了一下，没有浮空的节点，DUMMY的器件都接到了VCC或者GND。

不知道还有没有新的思路啊，自己顶一下！