有人用3.3V device來作5-6V的charge pump circuit嗎？

可以试试把mosfet stack起来,或者用floating nwell.只是见过用1.8V的mosfet做3.3V的电路...

two voltage limit: gate breakdown and S/D breakdown. In geneal, that voltage is over 7V in 0.35um CMOS process.

基本上問foundry端的工程師
他們給的答案都是很保守的
就是超過3.6V就不保證reliability的問題啦
所以也只能問問看有沒有人作過 會不會陣亡

i saw someone did it, but need special design technique

oxide Reliability? how to stack

對啊對啊
MOS怎麼疊可以增加oxide耐壓能力
有人發表過paper嗎?

网上有类似的论文的。
对于reliabilty 方面的问题，我个人认为可以通过floating well的技术实现，这种工艺不知是不是很难?

权当是抛砖引玉吧,我给一个用1.8V mosfet 做3.3v的基本电路. 出了这个以外,你还需要一个level shifter,把你的0v-1.8v的输入变成1.5v-3.3v,作为pmos的输入.这样的level shifter应该蛮多的.
不管怎么样,mosfet的四个脚,两两之间都不要超过工艺的标称电压.
同意楼上的,reliability is always #1...

对了,我觉得这个电路挺慢的,你可以考虑一下把它给优化一下.

我见过
在TSMC013G工艺上用charge pump将3.3V升到5V

只要VDS電壓沒超過
應該都是OK

我觉得: Vgb, Vsb and etc ... 都不能超过的.呵呵.

加上(或是減少) 一曾MASK層這樣就可以增加OUT RES,
但不知道能不能抗高壓, 可能要問一下製程廠了

floating well 的工艺是解决方法。
上面的判断方法也对，可是后面的负载电路能受得了吗?
谢谢

就我自己知道，如果只是要在平常的條件下，操作到5V，應該是沒問題的，所以我的重點一直是放在Reliability的問題上，也就是說當我們IC做出來之後，會再高溫高壓下操作一段長的時間，這我就不知道這種3.3V的元件是不是沒問題了！謝謝！

有真的流片后试过的么?特别是经受过高温高湿的你?

两个mos电容stack起来。注意initial中间点的电位。

看你讲的管子的耐压是不是在well 跟sub 之间，要使这种管子，就没办法做了。否则肯定可以设计的
1可以考虑用pmos, 只要well - sub电压可以大于3.3V就可行
2可以用三阱工艺，这样最终问题还是在阱和衬底之间