想请教一下buffer驱动能力的问题

小弟最近也算是刚开始接触buffer，当然在电路中使用的也都是最简单的 反相器buffer。
但是对这种反相器buffer的驱动能力不太能理解?
下面是自己的理解，请各位大侠帮忙看看理解的对不对。
在我的电路里，我主要是通过两个反向器级联 使得输出波形的接近方波，然后用来驱动大尺寸MOS管的Gate端。
对于驱动能力的理解：应为MOS管的尺寸很大，所以gate端电容自然很大。这时为了提高反向器buffer的驱动能力，最后一级的反向器
我使用的比较大的W，这样，在反向器的PMOS或者NMOS导通的时候，Ids的电流会增大，这样大尺寸MOS管Gate端
电容的充放电速度就会加快，也可以说这种情况下，反向器buffer的驱动能力增强了。
所以结论是增加反向器的驱动能力 就是增大反向器中PMOS和NMOS管的W size。
初学者，不知道这样的理解是否对。
请各位前辈多多指点，先谢谢大家了

基本上理解是对的，一般来说PMOS是NMOS管W值的2~3倍，但是这个要结合最后的负载情况，功耗，还有占空比来综合考虑

基本理论是对的，当最后一级驱动很大时，自身的输入电容也会很大，所以前一级驱动也得适当增大。
L基本上是越小越好，不过特殊情况下也要考虑Mismatch.

谢谢大侠解答。请问这个Mismatch如何理解，是PMOS和NMOS的L的mismatch么?

请问大侠，mismatch 是只L的mismatch么?

谢谢大侠解答，大侠也提到功耗的问题。
在同等VDD的情况下，如果是4级反向器级联 第一级为X第四级49X 中间先不考虑。
那么第四级的功耗相对第一级就大了很多很多。
但是在我的电路中，49X才满足驱动大尺寸功率管的要求。但又希望减小bufer部分的功耗。
这种情况下只能是功耗和驱动能力之间做trade-off么?还是说有其它的buffer可以使用?