弱问：为什么BJT的速度要比MOSFET的快？
驱动能力强是不是可以这样理解：在相同的条件下，三极管的跨导要比mos管的大，所以在相同的输入电压下，三极管的输出电流要大一些，也就是说驱动能力强一点。
回复
BJT的结电容要比MOSFET的小很多.
关注一下
BJT体内器件载流子速度快,MOS是表面器件,载流子速度慢
原因
毕竟BJT是流控器件，而mos是压控器件啊
两者机理不一样： BJT的Base很窄，重掺杂的emiiter的多子可以很快的越过Base在Collector进行符合，即BJT具有较快的速度。
MOSFET是电场控制下的电流器件，载流子需要越过沟道产生电流，所以速度上面不如BJT来得快
而且如果bjt的base掺杂了Ge的话，就更快了。
BJT两种载流子都其主要作用，而MOS只有一种载流子其主要作用
觉得这个比较有道理
MOS是表面器件，迁移速度慢。而BJT中的载流子的迁移速度快。
至于驱动能力，我个人认为是：跨导引起。BJT跨导大，带载就强。
在相同的条件下，三极管的跨导要比mos管的大，所以在相同的输入电压下，三极管的输出电流要大一些，也就是说驱动能力强一点。
从两个最基本的公式可以看出，其一就是BJT的Ie与Vbe成指数关系，其二就是MOS的Id与Vgs成平方关系，因此BJT得电流可以比较大，电流输出实际就是对负载进行充电的过程，电流大充电快，上升时间就短，因此就可以提高信号频率或增大负载
gm大不少
速度如何要看应用,
大信号状态下,开关速度是MOS管快
小信号下BJT快
结电容BJT的小，MOS寄生电容大
驱动BJT电流电压为e此方关系，MOS为平方关系，BJT大的多
可以看看器件物理，上面讲的详细
一起来学习一下
roger that
收益菲浅
楼上都是大牛啊，小弟获益匪浅
小弟获益匪浅啊
结电容BJT的小，MOS寄生电容大
驱动BJT电流电压为e此方关系，MOS为平方关系，BJT大的多
两者机理不一样： BJT的Base很窄，重掺杂的emiiter的多子可以很快的越过Base在Collector进行符合，即BJT具有较快的速度。
MOSFET是电场控制下的电流器件，载流子需要越过沟道产生电流，所以速度上面不如BJT来得快
原理好，在同等电流情况下BJT的特征频率高
这个“快”是什么意思
讨论基础问题也有收获。
不错不错，学习一下
顶12楼和14楼
受益匪浅啊，学习了