微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 微波和射频技术 > RFIC设计学习交流 > 请教有关PNP BJT MODEL的参数ISC的相关问题。

请教有关PNP BJT MODEL的参数ISC的相关问题。

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
这两天我用一个厂家的PNP BJT MODEL仿真发现管子在高温情况下(>100摄氏度),基极电流由负变为正。仿真条件为发射极正偏,集电极反偏。我查看了模型参数,发现'isc=1e-11' ,这个值比一般的厂家提供的参数都要大好几个数量级。我改为'isc=1e-14' 之后,就不会出现电流为正的情况。请大家帮我看看,确认是不是模型有问题。谢谢
其他相关信息emitter area = 10um×10um
0.35um 3.3V CMOS process

Isc:Base-collector leakage saturation current.
反向漏电大的话,Ib>0
default值:0
csmc 0.6um process.npn10:isc=1.00e-17

是的,就是这个问题。
我还仿了一个这个工艺下的Nwell—Psub二极管的反向电流。在温度高到90摄氏度之后,就达到100nA。
我觉得这个电流太大了。一般Nwell—Psub之间就是反偏。如果按照这种情况估计,整个芯片的漏电岂不是非常大。

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top