也请教个关于上电速度的问题

10us已经算很快了吧，看见一般快的LDO上电时间也要30us，DC-DC要300us。
如果芯片的前级是驱动能力适当的LDO或者DC-DC，那上电时间应该达不到10us吧?
用测试的电源仪器可以达到1us以下的上电速度，但一般芯片的应用环境应该达不到这么快的上电速度吧，
仿真时候可以略去10us以下的条件?

看你仿真的目的是啥了 如果只是做芯片稳态工作的分析 应该可以略去上电的这一段时间 有些时候芯片上电特性还是很重要的 比如在一些对开机时间很敏感的情况下

加个电路判断下前级建立完成 再去使能后一级 这样可以吗?