PMOS的沟道导电部分主要是哪里

至少以前是在氧化层下面一点，现在工艺不知道变什么样了

小编你能说说为啥你觉得底部是主要的呢?

起因是这样的，在看拉扎维噪声那章时（P177)看到说PMOS运输空穴是在“埋沟”中，这是对比与NMOS的在沟道表面输运载流子而言的。然后就开始想PMOS的埋沟。PMOS的载流子是空穴，但是仔细一想PMOS中空穴的形成，PMOS沟道中的能形成“空穴”的位置的位置应该固定的，机理也是电子在各个“空穴
"的位置之间跳跃运行，这样反射出好像是空穴在运动，但是”空穴“位置的固定就限制了空穴的分布不能想NMOS电子那样可以积累在沟道的表面，所所以换句话说，”空穴“的位置是均匀的分布在沟道中的（这里对于均匀掺杂的沟道），而那里有电子的跳跃，那里就会有空穴的运动，那里就能导电，由于PMOS的栅压为负（相对于衬底），所以，沟道表面得电子受到从栅极来的垂直于沟道的电场的排斥，所以说主要的电子还是集中在PMOS沟道的远离表面的地方，所以才有了说是PMOS导电感觉主要是沟道的底部部分的说法。
上面的说法只是我个人的理解，希望大家一块讨论哈……

不能仅凭想象。想想沟道是怎么形成的。要先反型，在沟道内积累空穴。空穴是大量电子移动的等效，并不是不动的。如果你觉得电子多才导电，那为什么本征半导体的电电阻率比P型半导体的大呢?