哪位兄台知道特别低噪声的工艺

噪声跟工艺有关，但也和设计有关，很大程度取决于设计！
一般而言BIPOR的噪声要小于CMOS
不知小编要求噪声小到什么程度啊?

楼上你说的这些小编肯定都知道，既然专门提出低噪声要求那么可以肯定满足这种要求的工艺很特殊。所以我就不插嘴了，坐个板凳看看。

150uA以内实现10nV以下，面积要小

补充了跟没补充一样！

CMOS的音频放大器

指标要求的是噪声密度?不是一般要求某个频率范围的积分噪声么?不了解CMOS音频放大器的噪声指标。但我觉得应该是积分噪声。

就算是噪声密度你也得给出频点啊！

一般宽带运放看的是积分噪声，窄带的看密度的多，1/F转角要推到低频带外所以就没说频点，噪声是平坦的所以给了密度或积分都是一样评估的

嗯，理论上这样对。但你100HZ处和0.1Hz处都在带宽内的话，他们的密度差别很大。你是单片CMOS放大器，还是系统里面的?单片工艺在0.35um以上，完全出现我前面说的（100HZ处和0.1Hz处都在带宽内的话）情况，即窄带系统，仍要考虑频点。系统可以用0.18及以下工艺，就可以只考虑噪声密度，在窄带系统。

音频范围是20-20K，这类amp会用chopping把1/f搞上去，所以低频都是平的，但是200u我觉得没法搞chopping，而且面积又小，因此我觉得是特殊的工艺或者是定制的。
你说.18以下吗，cox变化确实使得1/f会降低，但不可能降到0.1Hz就转角了，一般都要百k才转，65,40,28,16n的我都看了，做不到那么低

哦，你给的指标是噪声密度的原因应该是这个：音频范围是20-20K，这类amp会用chopping把1/f搞上去，所以低频都是平的。0.1Hz是举个例子。感觉通常做法应该是chopping把i/f抬上去，在低通。你电流小，chopping没法做?没有chopping那就完全看工艺的，那就是BCD工艺中的bjt管搞了。cmos肯定搞不来。

就算不是平的窄带也不太会给积分噪声，就算两个电路1/f有20db的差别，积分到几百k之后根本看不出区别
你觉得是bipolar?几个芯片的版图我看了，是cmos的，bipolar电流噪声太大在这种应用中不会用的。刚才我查有个棒子公司研制了超低噪声的mos工艺，就是不知道怎么做的。

你说的前半句不知道是基于什么，我的某款产品和一些对手的产品完全不是你的情况，而是我前面说的情况。但我们的产品噪声稍差于对手，是因为我们的cmos工艺和对手的bjt。特别当积分下限很低时，差别更大。我给你的结论是基于理论和仿真和实际产品测试结果。不知道你依据是什么?

补充下，积分上限是100KHz。你应该是参考0.13um以下工艺，我前面说过了0.35um以上和0.13um以下噪声的主导完全不同。

你的对手用cmos是成本的考虑，而且他们cmos出来的电路能满足噪声要求。在噪声性能上cmos能满足的，bjt一定更好。

我想你理解的窄带和我说的窄带带宽还是有差别的，毕竟不管你低频噪声多么高，只要积分到高频比如几十K后就差不了多少了，用不用chopping或者其他技术在积分噪声看不出来的，你说的都到0.1Hz了明显应用不一样，而且你1/f转角应该比较高频。
我不清楚你说的噪声主导问题，你好解释一下吗，我考虑的是.35以上的
用CMOS的原因是由于源阻抗非常大几十M，所以通常来说bipolar反而性能会差

是应用不同。我说的噪声主导不同是噪声的主要贡献者不同（闪耀还是热噪声），就是转角频率。

“毕竟不管你低频噪声多么高，只要积分到高频比如几十K后就差不了多少了”这个要看具体电路，工艺等。对于我的产品不是你说的情况。

“用CMOS的原因是由于源阻抗非常大几十M，所以通常来说bipolar反而性能会差”你可以CMOS和bjt结合，BCD工艺。成本太高估计你不会考虑。不明白你源阻抗只什么?

转角频率变得怎么了?
信号源阻抗

SOI，Deep Trench都可以满足低噪要求

顶，谢了，

你是怕bjt做输入管有输入噪声电流吧?

主要是低频噪声，SOI是怎么消除噪声的?

是的

有没有考虑过用高频调制低频信号再放大然后解调?

除非你前级有非常大的噪声电流，否则不会出现你担心的情况。即使有非常大的噪声电流，你输入的信号源低阻相对于
bjt输入主抗小多了。引入噪声微乎其微。你可以实际验证下，或者你宏模型推下就知道。

我想chopping功耗可能做不到，你觉得呢

等效输入噪声你不要再给折回去算了