求LDO大牛解答

最近在看LDO方面的资料，有几个问题一直悬而未解，求LDO大牛给通俗的解答一下。1. 关于PMOS开关管的频率补偿。看现在的LDO SPEC都是外接1uF量级的陶瓷电容。是否ESR零点已经设计在带宽之外了，电容ESR在频率分析时可以忽略了?环路的零极点分布是怎样设计的，关于误差放大器极点，输出极点是如何设定的?
貌似更多的设计者会选择输出极点为主极点，误差放大器极点为次主极点吧，这样可以尽量的增大带宽，提高瞬态响应特性。不知道我的理解是否正确。
2. 关于开关管用NMOS还是PMOS，各有什么优缺点?
我的理解是PMOS的电路更简单，静态功耗小，但输出为共源级，输出阻抗变化大，Load Regulation差，频率补偿复杂，带宽低，瞬态响应差。
NMOS开关需要用Charger Pump，静态功耗大，电路复杂，但输出为Follower，输出阻抗小，Load Regulation好，输出极点在高频，频率补偿简单，带宽高，瞬态响应好。
3. 关于Line Regulation（LNR)与PSRR。我理解为LNR就是直流下的PSRR，按照运放的理解，直流PSRR好于交流PSRR，那应该LNR好于PSRR。但看有些公司的SPEC，LNR却比1KHz下的PSRR差。例如LNR只有50dB,1KHz PSRR有70dB，这是为什么?是用什么特殊办法提高交流的PSRR吗?
期待LDO方面的大牛帮忙解答一下，谢谢啦！

有人围观，没有解答呢。顶起！

探讨一下吧，
1.LDO的补偿方式很多种，如果你外挂输出电容，那么ESR的变化往往是我们不能控制的，所以可能在有的负载条件下ESR形成的零点在带外，有的负载条件下在带内。输出外挂电容的时候，往往输出极点已经非常低，所以内部误差放大器没办法保证在所有负载范围内为主极点，一般情况下只能做此极点。
2.NMOS和PMOS取决于应用；
3.交流PSRR提高方式很多，一般会把某个关心的频率范围内做的比较好。提高低频的可以采取NMOS结构，提高bandgap的PSRR和LDO的增益。关心高频的可以在LDO输出上加电容。

感谢lucia_wan的回复！想再继续问一下
对于问题1，现在的LDO外挂电容都是1uF量级的陶瓷电容，ESR应该很小了吧?关于电容的ESR参数在哪里能找到呢?
对于问题2，请举几个例子说明一下，NMOS开关和PMOS开关LDO的特性不同与应用场合不同。
谢谢！

LDO大牛都去哪里了呢?还是我的问题太弱了?