一个基准电路
电路中R4=R5
优点?没看出来。
谢谢了……
我水平有限。只是感觉原理上没区别，结构上的区别只是表层的。
减小运放输入端OFFSET影响
不错，如楼上所说可以减小运放offset
psr有没有提高呢
能够说说怎么减小了运放的offset?我不了解
坛里的朋友有没有遇难过基准没有补偿的情况下，温漂曲线是这样的！
不知道是怎么回事，图片上传总是失败，就描述一下吧：基准电压从-40度开始下降，大概0度的时候又开始上升，到60度左右的时候又开始下降。形成一个波谷和一个波峰状……
低压应用，运放的输入貌似很低很低。我见过用buck作输入的这种运放结构。
你把电阻用理想电阻来代替也是二阶补偿的曲线么?
谢谢你的关注！这个我还没有试过，但我今天减小了一下偏置电压，情况好很多了，但是PTAT电流有点小，25度时只有3.5u！达不到我的设计要求……我的要求是PTAT电流要在6u左右，但是电阻的长还不能太小，这就是个矛盾，要增大电流值，就必须减小电阻，这就不得不减小电阻的长度（电阻的宽度已经是不能再小了）！不知该怎么解决这个问题……
减小电阻，并不一定非要减小尺寸，你可以试一试并联较大的电阻。
减小电阻值应该增加电阻宽度。
你LDO里面用这个bgp?你用什么工艺?BICMOS?
优点：低电源电压
缺点：Low PSRR，BICMOS/BCD工艺限制
low PSR 你是看出来的还是仿真验证的?
如果看出来的，能给出推导?
光看的话，我不觉得这个电路PSR差，相反还挺高的。
人家TI做出来的温度系数最大值是100ppm,精度最大是-+0.1%,噪声d典型值35uVrms(10--10KHz)。
看着还可以啊
TI用这个做单片基准电路?还是TI某个产品里的基准?
单片基准源。
这个你们也reverse 过啊
通过仿真可知其电源电压是很低！但是PSR应该不是很低吧！
TI做过这个电路吗?请问是哪个片子……
1/2β的尾电流会流过A,B两点，所以Q1，Q2的β高好些
我在想，这个电路Q1Q2的基极电流怎么办。
两个问题：1、这里运放的作用是不是只是钳位R4,R5的电压相等?有没有其他作用呢?
2、到底是如何减小offset的呢，这个不明白。
这个bandgap结构很不错，它把电流匹配和bandgap产生两路电路分开。这样可以大大减小运放的input Offset对于bandgap输出的影响，，，可以提高bandgap的样品正太分布，进而提高产品的yield。 如果电流匹配和bangdap两路合并，并通过运放clampXY两点，那么运放的输入offset会被严重的放大，影响良率。
PSRR的优点，不明显，整个环路依靠运放的大dc gain来实现大的PSRR以及open loop gain。dc gain 越大，闭环loop更接近于1，也就是输出的bgr精度越高。只要有运放clamp，PSRR都不会差。最大的优点是OFFSET。小编可以自己推到下，点到为止。