有了解TI工艺的吗？0.35um的

0.5um CSMC 的工艺中 kp=30～40u，但是sansen书上第7页 0115 给出的0.35um标准工艺中 kp=300u，kp为pmos管与工艺相关的参数，两者差距这么大?那么TI的工艺kp有朋友知道大约为多少吗?3q

别的工艺呢，别的0.35工艺的参数能给个参考吗?

以前粗略算过的0.5um工艺参数
CHARTER
nmos K=1.3e-4
pmos K=4e-5
UMC
nmos K=1.1e-4
pmos K=3.7e-5
至于TI的工艺，可能好20%，30%，不知道。

实际没有这么大的差异两个数据其一必有问题

一代工艺一代模型，线宽一样的 参数应该在一个数量级

这些国外专有的工艺厂有时真的觉得会性能高些。
例如bandgap，都是PNP管做的，但就是换遍了工艺在TT情况下也调不出零温度特性。
一样是CMOS工艺，但跑下PVT发现有些管子会亚阀值漏电影响性能，但原工艺不知道会否这样，
有些参数随MOS VTH温度和conor变化大得吃惊，但原来的设计就是这样。

嘿嘿小编在抄ti的片子

抄片子抄的也太仔细了。还是按照自己工艺调试吧，抛弃掉TI的工艺自己做，参考结构就行了。当然有些结构式依赖于工艺或者说这个工艺采用这种结构，不过我觉得这种情况很少很少。抛弃所有，以我为主。

建議要學會自己設計分析電路 抄不是長久之計