bandgap中Vbe的要求
时间:10-02
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Razavi的《Design of analog cmos integrated circuit》一书中bandgap, Vbe的温度系数与Vbe本身的大小相关,那么设计Bandgap时Vbe的电压一般设计在多少伏呢?Ie一般为多少uA呢?谢谢指教!
VBE大小与流过其的电流大小有关
电流大小会影响bipolar的beta大小,一般bandgap中的bipolar都是寄生的,所以beta值比较小
一般选择电流可以参考,你的model中beta vs Ie cureve,应该避免beta随Ie剧烈变化的情况
应该选择beta大小不怎么随Ie变化的那段
请参看 gray 的书籍 第四版中page25 page26 的
figure1.15 和figure1.16两张图
gooooooooooooooooood
谢谢2楼
感谢!
谢谢2搂滴~
2楼强,BGR中偏置在BJT上面的电流都很小,选择余地并不大。
个人认为几UA~十几UA差不多,I VS V 比较陡的区域就可以,希望指教。
mark!
big than uA scope is ok
nicer