LDO架构
时间：10-02
整理：3721RD
点击：
有没有2.7V左右就可以启动工作的，而且电源可以高达20V的LDO，用0.35um BCD工艺做的，Vgs耐压就5V。
2.7V启动工作倒是可以，但是20V的电源电压也太高了，mos管都击穿了
BCD可以
能不能给个基本方案看看啊?BGR和LDO的管子都要能耐高压，栅压不能超过5V，而且要低电压启动，想不出来啊。
20V LDMOS +pre ldo，但Vgs有风险
BCD 工艺 要2.7V启动有点难得，一般器件Vth都要接近1V了，3.5V以上启动，BGR和LDO都好做一些
不是栅压不超过5V吧，一般是Vgs不超过5V，你直接用高压管做没问题的啊，重点是2.7V你的高压BG要能起来就没问题了
现在的市面上的输入电压范围在3~20V的LDO，一般用的工艺是啥啊?现在有个case，LDO的输入要在2.7V~15V能够正常工作，不晓得用0.35um bcd vgs=5V的工艺能否做出来啊。现在完全没有底，头大啊。
用什么工艺做的都有。