拉扎维P55页小信号等效电路求助
图中从(b)到(c),为什么可以这样转化?
1/(gm+gmb)不是和r0并联么,有点看不懂连接关系是怎么转化的
你可以画出M1的小信号电路图,可以清晰地看出1/(gm+gmb)不是和r0并联的
小编被MOS管漏极的电压ΔV给误导了,漏极电压无论如何变化都不会引起MOS管电流的变化,因此MOS管漏极可以看为虚地,这样就很容易分析了。
(a)图中r0不是也接在漏极上了么?为什么没有把r0的一端接地呢
这个类似的等效好像在后面的章节也会出现
个人曾经是这么理解的,不晓得对不:
LZ说的1/gm和1/gmb都是与ro并联的不错
gm和gmb都是以电流源形式出现的,而ro是以阻抗形式出现的,当deltaV加在输出端测试时
gmVgs和gmbVbs是不受这个deltaV的影响的,而ro则不同了,所以呢处理方式就不同了
b到c可以这样转化,用的是T model。这个是共栅管的等效模型
gm和gmb是分别由于栅源电压和源到衬底vsb产生的效果,所以必须从源端看进去才等效出阻抗,从漏端看进去只有源漏的阻抗r0,所以1/gm+gmb和r0不是并联的
r0也和源连接到一块了,这个怎么解释?
小编可以这么看,首先把电路分上下两段,D--S 一段,S---ground 一段
从 D看下去, 是r0 和 下面的一堆串联, 下面的一堆从S看下去是 Rs和(1/gm+gmb)并联。
小编的疑问,(1/gm+gmb) 没有和 R0 并联,不知道小编怎么看出来的
ro 反应的是D点电流随 Vds 变化的能力,
1/gm+gmb 反映的是S点电流随 VS-GND 的能力,因为gate和GND是连在一起的,所以VS-GND也就是VGS, 而我们知道Vgs 导致S点电流变化的能力 就是gm+gmb, 所以倒数就是从S点看进去的等效电阻。
小编要是愿意画小信号等效电路也可以推出来。 请坚持使用Fig. 3.22来分析,等你足够熟练以后再看3.23.
我现在是研一,我也正在学习这本书,我的问题与你好相似,我的扣扣1007971029,希望共同讨论
一点提示,1/(gm+gmb)只有从源看进去成立,管子如果把ro分离出来以后,从漏端看进去是阻抗无穷大。其它应该不难理解了。
小信号电阻出来就解决,栅极是交流地,Rs也是交流地,所以并联
刚好也遇到这个问题
这个应该是从mos的源级看进去的等效电阻!
小编,我也在看这个地方,看了下面的解释还是不明白,希望您能帮忙解释一下。
b图中你先不管Rs和ro,着看MOS管,然后把小信号模型画出来就发现对地是1/(gm+gmb)。另一种直观的方法就是,利用叠加原理,忽略RS和ro的影响,在M1源极点加一个△电压,你就会发现由于栅源电压的影响,对地产生一个△电流,△电压/△电流,就是1/(gm+gmb)。
LZ也不明白,LZ是大学学的是机械
你好,谢谢你的回复。我可以这样理解吗:可以把施加在M1 d端的小信号△V 等效为在M1 源端加了一个小信号△Vrs,这样M1的d端等效为地,在先不考虑ro的情况下,从M1 的源端向上看就是1/(gm+gmb)。
看一个点对地的电阻,就把所有的交流都接地,在这一点上加一个小信号△V,然后看看各条支路贡献的电流△i就行了。拿这个问题来说吧,既然你要求的是M1源极的对地电阻,就不要考虑漏极是否有△V,漏极那里是一定要接地的,而不是你所说的在漏极那里加一个△V,源极等效一个△Vrs,△V只能有一个,多了就乱了。直接在源极给一个△V就行,这个△V是你人为加上去的,和你说的等效来的有本质的区别
写个KCL就清楚了
不懂,学习一下
从源端看进去,计算电阻时deltaV当做gnd,4部分的电阻并联计算