gm/id 对于漏极不接地的电路应该如何处理？

一般的书上都是通过上图的例子讲解gm/id的，如果我要得到id=2mA,我只要画出Vgs~gm/id 和id/w ~gm/id 就可以精确得到W和需要的Vgs大小，但是如果上图的mos管漏极没有接地，而是接了一个电阻，上述的结果是错误的，请问各位高手，如果漏极接了一个电阻,如何用gm/id法得到正确的id呢?

Vth的大小和漏极电压的大小是成正比的，但是在做Vgs~gm/id 和id/w ~gm/id曲线的时候，NMOS管的漏极是接地的，也就是说它的Vth是不变的，但是上图中如果漏极加上电阻之后，MOS管的阈值电压是肯定要增加的，这样gm/id法得出的结果就不对了，这个要怎么解决?

不懂你在说什么

你在仿真gm/id 曲线的时候，要再仿一组曲线，就是 gm/id ~ gmbs/id， gmbs就是由于b、s电压不同造成的，在电路等效电路图中，不要忽略gmbs （可以看看 拉扎维的那本书，总是有gm+gmbs)，然后在你的电路分析过程中，所有的公式都会有gm/id, gmbs/id 这样的项，通过查找表的方式（我用matlab 写一个code），很容易对电路进行设计。 这个方法不仅对 这样简单的放大器，对于 OPAMP、LNA、VCO、Mixer、等等几乎所有模拟模块都可以这么设计，几乎不用cadence调试，把电路分析的详尽些（不要忽略任何小的参数，比如Cgs,Cgd...) 所有参数都算上，一键点击matlab, 得到的 w/L 放到cadence 电路中，一方真，就是你要的结果，甚至是麻烦的 RF电路。
我上传过一个 gm/id 的report，我联系过原作者，他告诉我的，这个方法在美国已经普遍了。

谢谢了，这个问题已经解决了，对于漏极不接地的NMOS管，仿真的时候漏极要接一个电压源然后再计算一遍gm/id就可以了

我不太明白为什么要算gmbs/id ，对于漏极不接地的电路，画出gmbs/id ~gm/id之后应该怎么做呢?
虽然漏极接一个电压源仿真也可以正确，但我还是愿意听一下您的意见

不好意思，应该是源极接电压源，一直都搞错了